Отправить статью по E-mail 
Распределение поля и зарядов в переходе между n-GaAs и полуизолирующей подложкой, легированной хромом
- Авторы: Бобрешов А.1, Нестеренко Ю.1, Разуваев Ю.1
-
Учреждения:
- Воронежский государственный университет
- Выпуск: Том 16, № 3 (2013)
- Страницы: 50-55
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7353
- ID: 7353
Цитировать
Полный текст
Аннотация
С помощью численного моделирования проанализирована структура поля и объемного заряда на границе раздела между полуизолирующей подложкой, легированной хромом, и n -каналом в GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки. Использована четырехуровневая модель полуизолирующего GaAs с учетом глубоких уровней. Показана определяющая роль глубоких акцепторных уровней в формировании объемного заряда со стороны подложки, а также зависимость величины и распределения объемного заряда от их концентрации.
Об авторах
А.М. Бобрешов
Воронежский государственный университет
Автор, ответственный за переписку.
Email: bobreshov@phys.vsu.ru
Ю.Н. Нестеренко
Воронежский государственный университет
Email: office@main.vsu.ru
Ю.Ю. Разуваев
Воронежский государственный университет
Email: razuvaevyy@mail.ru
Список литературы
- Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы / В.В. Антипин [и др.] // Зарубежная радиоэлектроника. 1995. № 1. С. 37–53.Баранов И.А., Обрезан О.И., Ропий А.И. Стойкость твердотельных модулей СВЧ к кратковременным электроперегрузкам // Обзоры по электронной технике. Сер. 1. СВЧ-техника. М.: ЦНИИ «Электроника», 1997. 111 с.Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления / под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. 496 с.Itoh T., Yanai H. Stability of Performance and Interfacial Problems in GaAs MESFET`s // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. V. 27. № 6. P. 1037–1045.James D.S., Dormer L. A study of high power pulsed characteristics of low-noise GaAs MESFET’s // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques. 1981. V. 29. № 12. P. 1298–1310.Радиационные эффекты в GaAs-полупроводниковых приборах и интегральных схемах / Е.Р. Аствацатурьян [и др.] // Зарубежная электронная техника: сб. обзоров. М.: Изд. МЭП СССР, 1988. № 1. С. 48–83.Transient radiation study of GaAs metal semiconductor field effect transistors implanted in Cr-doped and undoped substrates / M. Simons [et al.] // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. № 11. P. 6630–6636.Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Елесин В.В. Модель долговременной релаксации фототока в GaAs-структурах с затвором Шоттки // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. Вып. 5. С. 434–438.Механизмы обратимых отказов GaAs ПТШ при мощных импульсных воздействиях / А.М. Бобрешов [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2008. Т. 11. № 3. С. 60–68.Compensation mechanisms in GaAs / G.M. Martin [et al.] // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 5. P. 2840–2852.Полуизолирующие соединения A^III B^V / под ред. Дж.У. Риса. М.: Металлургия, 1984. 256 с.Simplified simulation of GaAs MESFET’s with semi-insulating substrate compensated by deep levels / K. Horio [et al.] // IEEE Trans. Computer-Aided Design. 1991. V. 10. № 10. P. 1295–1302.Shockley W., Read W.T., Jr. Statistics of the recombinations of holes and electrons // Phys. Rev. 1952. V. 87. № 5. P. 835–842.
Дополнительные файлы
