Field and charge distribution in the junction between n-GaAs and semiinsulating chrome doped substrate - PDF (Russian)
Copyright (c) 2013 Bobreshov A., Nesterenko Y., Razuvaev Y.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
СМИ зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор).
Регистрационный номер и дата принятия решения о регистрации СМИ: серия ФС 77 - 68199 от 27.12.2016.
Регистрационный номер и дата принятия решения о регистрации СМИ: серия ФС 77 - 68199 от 27.12.2016.