Passage of an electromagnetic wave through a rectangular von guide with a section of a semiconductor film

Cover Page

Cite item

Full Text

Abstract

Background. In microwave technology, of great interest is the creation of amplifiers and generators based on thin-layered longitudinal inhomogeneities in rectangular waveguides, which are an integral part of many functional devices in the microwave and EHF ranges.

Aim. Therefore, it is of practical interest to calculate one of these inhomogeneities in a rectangular waveguide.

Methods. One of the methods for calculating such structures is the diffraction of an electromagnetic wave by a segment of a semiconductor film with negative differential conductivity on a narrow wall of a rectangular waveguide. Based on the boundary conditions, a singular integral equation for the electric component of the electromagnetic field was obtained. By the method of inversion of the integral equation and by means of expansion in terms of Chebyshev polynomials, the integral equation is given in a system of two algebraic equations. The coefficients of the system are calculated according to the theory of residues. Then an equation was obtained for calculating the transmission coefficient, which was calculated in the Matcad environment.

Results. Based on the integral equation, the values for calculating the transmission coefficient for the structure under consideration are obtained.

Conclusion. From the graphs obtained for the calculated transmission coefficient, it can be concluded that there are frequency zones where an electromagnetic wave is amplified in the structure. So, on the basis of the structure under consideration, it is possible to create amplifiers and generators of the microwave and EHF ranges.

Full Text

Введение

В предлагаемой статье рассматривается волноведущая электромагнитная система, представляющая собой прямоугольный волновод с идеально проводящими стенками. На узкую стенку волновода (y = 0) в интервале z от -L до L помещается отрезок активной полупроводниковой пленки (например, GаAs) с отрицательной дифференциальной проводимостью, как показано на рис. 1. Будем считать, что в прямоугольном волноводе в отсутствии полупроводниковой пленки распространяется только волна H10, а остальные высшие моды являются запредельными.

1. Постановка задачи

Рассмотрим задачу дифракции основной моды на такой неоднородности. Представим электрическое поле в волноводе в виде суперпозиции поля основной моды и поля, созданного токами на неоднородности [1]:

Ex=A0sinr0(ay)eiγ0z+12π+Aγsinr(ay)eiγzdγ,                                    (1)

где  r=k2εμγ2; r0=k2εμγ02;  k=ωc; 

ε, µ    – диэлектрическая и магнитная проницаемости среды, заполняющей прямоугольный волновод;  

γ0 – продольное волновое число для волны H10

Полагая, что зависимость поля вдоль оси x отсутствует x0, из уравнений Максвелла получаем [2]:

Подставляя в последнее соотношение выражение (1), получим:

Hz=1ikμExy.                                                                                                  

Hz=1ikμ(A0r0cosr0(ay)eiγ0z12π+Aγrcosr(ay)eiγzdγ).        (2)

Полупроводниковый слой в активных волноведущих структурах с поперечным дрейфом носителей имеет малую толщину: δ ≪ t, knδ ≪ 1,  где kn – волновое число в полупроводниковом слое; t – характерный поперечный размер волноведущей структуры; δ – толщина полупроводниковой пленки. Дифференциальная проводимость полупроводника при приложении сильного статического электрического поля E0 вдоль оси x становится отрицательной и появляется возможность усиления электромагнитных волн.

Полупроводниковую пленку в линейном приближении будем описывать с помощью двухсторонних граничных условий (1) при y = 0. Учитывая, что Ex(1) = 0 (касательное поле на металле) и отсутствует вариация поля вдоль оси x, из них следует (µn = 1)

Ex2ikδ2Hz1+Hz2=0,                                                                                 (3)

Hz2Hz1iδ2k2z2+k2εΠEx2=0,                                                               (4)

где  – комплексная диэлектрическая проницаемость пленки, верхние индексы «1» и «2» указывают на принадлежность составляющих поля к той или иной области вне пленки (индекс «1» соответствует металлу, индекс «2» соответствует волноводу).

При выводе граничных условий (3), (4) были использованы следующие соотношения: (k = 1,2)

μ(k)Hyk=ikExkzEzkx,                                                                           (5)

εkEyk=ikHxkzHzkx,

которые следуют непосредственно из уравнений Максвелла.

Из уравнения (3) получаем, что Hz(1)=Hz(2)+2ikδEx(2).

 

 

Рис. 1. Прямоугольный волновод с полупроводниковой пленкой конечной длины, расположенной вдоль узкой стенки

Fig. 1. Rectangular waveguide with a semiconductor film of finite length along a narrow wall

 

Подставим последнее выражение для Hz1 в уравнение (4):

2Hz22ikδEx2iδ2k2z2+k2εΠEx2=0,

которое, после несложных преобразований приводит к следующему приближенному граничному условию для полупроводниковой пленки, лежащей на металле (z[L,L]):

Ex2ikδHz2δ242z2+k2εΠEx2=0.                                                           (6)

Вводя обозначения: ExEx2, HzHz2,

перепишем граничное условие (6) в более удобном для нас виде:

ExikδHzδ242z2+k2εΠEx=0.                                                           (7)

Будем считать, что в силу малости толщины полупроводниковой пленки  δ   (knδ1):

2Uiz2=γ02Ui,

где Ui – какая-либо составляющая электромагнитного поля в структуре с отрезком полупроводниковой пленки. Тогда граничное условие (7) можно переписать в виде:

ExikδHzδ24rΠΟ2Ex=0,

где    rΠΟ2=k2εΠγ02.

Группируя члены с Ex в последнем соотношении и, проведя элементарные преобразования, получаем:

Ex=iηHz,                                                                                           (8)

где

η=kδ1δ24rΠΟ2.                                                                                   (9)

Формула (8) является приближенным эквивалентным граничным условием для полупроводниковой пленки толщины δ с диэлектрической проницаемостью εП, лежащей на металле. Что касается волноведущей структуры с отрезком активной пленки (см. рис. 1), то для нее это граничное условие справедливо для плоскости y = 0 при z[L,L].

Таким образом, задача дифракции волны прямоугольного волновода на отрезке полупроводниковой пленки малой толщины δ мы свели к задаче дифракции волны H10 на отрезке прямоугольного волновода, для одной из узких стенок которого справедливо импедансное граничное условие (8). Поэтому, развиваемый ниже метод расчета тонкослоистых полупроводниковых неоднородностей справедлив для всех тех неоднородностей в прямоугольном волноводе, для которых можно записать соответствующие эквивалентные граничные условия типа (8).

2. Аналитический метод расчета продольных тонкослоистых неоднородностей в волноводных структурах

Определим функцию A(γ) которая фигурирует в интегральном представлении (1). Для этого подставим выражения (1) и (2) в уравнение (8) при y = 0; тогда мы можно записать следующее равенство (z[L,L]):

A0sinr0a+ηr0kμcosr0aeiγ0z+12π+Aγsinra+ηrkμcosraeiγzdγ=0.                                       (10)

Введем обозначения при  y = 0, zL,L:

и перепишем соотношение (10) в виде:

ex=Ex,  ex=Ex,  z[L,L],0,  z[L,L],  

ex+ex0==12π+Aγsinraeiγzdγ+A0sinroaeiγ0z.                        (11)

Умножим обе части равенства (11) на eiγz и проинтегрируем по переменной z от -L до +L в результате можно записать следующее выражение:

LLexzeiγzdz+LLex0zeiγzdz==12πLLAγsinradγ+eiγγ'zdz+A0sinr0aLLeiγγ0zdz.          (12)

С учетом известного соотношения для дельта-функции δ(α):

+eiγγ'zdz=2πδγγ',

из (12) нетрудно получить выражение для коэффициента A(γ):

A(γ)=12πsinraLLexzeiγzdz.

Для улучшения сходимости интеграла в последней формуле перейдем от функции ex(z) к ее производной по координате z   e'xzexz. Для этого воспользуемся формулой интегрирования по частям, считая, что exz=L=exz=L=0:

LLexzeiγzdz=1iγLLex'zeiγzdz.                                                        (13)

Тогда, окончательно имеем:

Aγ=i2πγsinraLLex'zeiγzdz.

Подставим выражение (13) для A(γ) в уравнение (10) и произведем элементарные преобразования. Тогда его можно записать следующим образом:

LLex'z'Tz',zdz'+A0α0eiγ0z=0,                                                        (14)

где  α0=sinr0a+ηr0kμcosr0a,

Tz',z=i2π+1+ηrkμctg raeiγz'zγdγ.

Нетрудно показать, что:

limγ0ηrkμctgraγ=ηkμsgnγ,

где:    sgnγ=1,  γ>0,1,  γ<0.

Прибавляя и отнимая в квадратных скобках формулы для ядра T(z, z′) (14) выражение ηkμsgnγ, произведя перегруппировку и воспользовавшись известным соотношением:

+sgnγeiγz'zdγ=2iz'z,

из (14) окончательно получим следующее интегральное уравнение:

1πηkμLLex'z'dz'z'z=i2πLLdz'ex'z'+αγeiγz'zdγ+A0α0eiγ0z,             (15)

где

αγ=1γ+ηkμΔγ, Δγ=rctg raγsgnγ.                                                 (16)

Упростим уравнение (16) путем введения новых переменных

z=Lt, z'=Lt'.

В этих переменных интегральное уравнение (15) принимает вид

ηkμ11ex't'dt't't=iL211dt'ex't'+αγeiγLt'tdγ+A0α0πeiγ0Lt.

Ядро интегрального уравнения (16) является сингулярным с особенностью типа Коши. Для его решения воспользуемся формулой обращения интеграла Коши [3]:

1π11e'xt'dt't't=ft,                                                                                        (17)

e't=1π1t2111t'2ft't'tdt'+a01t2,

где a0 – неизвестная постоянная, определяемая из дополнительных условий. Считая функцией ƒ(t) правую часть уравнения (16), нетрудно записать

ηkμe'xt=1π21t2×                                                                    (18)

×111ν2νtiL211e'xt'dt'+αteiγLt'νdγ+A0α0πeiγ0Lνdν+D01t2,

где D0 – некоторая неизвестная постоянная.

Преобразуем уравнение (18) к более простому виду:

ηkμe'xt=                                                                                         (19)

=11t2iL211e'xtSt',tdt+A0α0πIγ0t+D0,

где введены обозначения

Iγ,t=1π2111ν2νteiγLνdν,

St',t=+αγIγ,teiγLt'dγ.

Функция I(γ0, t) получается заменой в выражении для I(γt)  переменный γ на γ0

В дальнейшем нам потребуется следующее разложение показательной функции [4]:

eiγt=2n=0inJnγTnt1+δn0,                                                                       (20)

где Tn(t) – полиномы Чебышева первого рода, Jn(α) – функции Бесселя первого рода.

Полиномы Чебышева 1-го рода связаны с полиномами Чебышева 2-го рода Un(t) следующими соотношениями для n  > 1 [4]:

Tnt=12UntUn2t,                                                                    (21)

U0=T0=1,

T1t=t,T1t=U1t2.

С учетом формул (20) перепишем разложение (21) в удобном для нас виде:

eiγt=n=0inJnγJn+2γUnt.                                                       (22)

С учетом того, что  2Jk+1=JkJk+2

бесконечный ряд (22) можно записать в более простом виде[5]:

eiγt=2n=0inJn+1γUnt.                                                                  (23)

Так как   Unt=1nUnt,

то

eiγt=2n=0inJn+1(γ)Unt=2n=0inJn+1γUnt.                       (24)

Используя равенство (23) и интегральные представления для полиномов Чебышева [6]:

111y2yxUn1ydy=πTnx,                                                       (25)

нетрудно получить следующее выражение для I(γ, t):

Iγ,t=2n=0inJn+1γLTn+1t.                                                   (26)

С учетом выражения (25), интегральное уравнение (19) можно записать в следующем виде:

ηkμe'xt=                                                                                         (27)

=11t2n=0iniL211e'xt'Ln+1t'dt'+2πA0α0Jn+1γ0LTn+1t+D0.

Воспользовавшись известным выражением для интеграла [4]:

+Jn+1xxeixt'dx=2i(1)n(n+1)(i)n+11t'2Un(t'),                            (28)

Откуда можно получить:

+Jn+1(γL)γLeit'γLd(γL)=2(n+1)(i)n1t'2Un(t').                                (29)

Запишем уравнение (27) в более удобном для нас виде:

ηkμe'xt=11t2n=0inL(i)n+1n+111e'xt'1t'2Unt'dt'+ iL211e'x(t')Nn+1(t')dt'+   (30)

+2πA0α0Jn+1γ0LTn+1t+D0,

где:   Nn+1(t')=ηkμ+Δ(γ)Jn+1(γL)eiγLt'dγ.

Будем искать решение интегрального уравнения (30) в виде разложения по полиномам Чебышева:

e'xt=11t2n=0NanTn(t),                                                                    (31)

где  – неизвестные постоянные, подлежащие определению.

Получим решение уравнения (30) при учете в разложении (31) для первых трех слагаемых:

e'xt=11t2(a0T0(t)+a1T1(t)+a2T2(t)).                                              (32)

С учетом первых трех слагаемых в сумме в интегральном уравнении, оно принимает более простой вид:

ηkμe'xt=                                                                                         (33)

11t2iL11e'xt'1t'2U0t'dt'+iL211e'x(t')M1(t')dt'+2πA0α0J1γ0LT1(t)+

+iL211e'x(t')1t'2U1(t')dt'+L211e'x(t')M2(t')dt'+2πA0α0J2(γ0L)T2(t)+D0,

где

Mn+1=2ηkμm=0(i)mUm(t')+Δ(γL)Jn+1(γL)Jm(γL)dγ     (n = 0,1)

В дальнейшем нам потребуются следующие равенства:

11U0(t)T0(t)dt=2,                                                                                             (34)

11U0(t)T1(t)dt=11U1(t)T0(t)dt=11U1(t)T1(t)dt=0,

11U0(t)T2(t)dt=23,  11U1(t)T1(t)dt=43,

11Tm(t)Mn+1(t)dt1t2=π21+δm02ηkμ(i)m+ΔγJn+1γLJmγLdγ.

Учитывая, что на границах ступеньки при z = ±Lex(z) =0, запишем следующее граничное условие:

11e'x(t)dt=0.                                                                                       (35)

Подставим решение (33) в граничное условие (35):

a011dt'1t'2+a111T1(t')dt'1t'2+a211T2(t')dt'1t'2=0.                               (36)

Так как второй и третий интегралы в равенстве (36) равны нулю, то отсюда следует, что a0 = 0. Поэтому из соотношения (33) нетрудно записать следующую систему алгебраических уравнений относительно a1 и a2:

ηkμ(1+Lπ2K11)a1+iL(23+πη2kμK12)a2=2πA0α0J1γ0L,                (37)

iL(23+πη2kμK21)a1+ηkμ(1+Lπ2K22)a2=2πA0α0J2γ0L,

где 

Kij=+ΔγJi+1γLJjγLdγ.                                                             (38)

Заметим, что при выводе системы (37) мы воспользовались свойством ортогональности системы функций Tnt на отрезке 1,1. Используя метод Краммера, выражения для коэффициентов  a1 и a2 имеют следующий вид:

a1=1Δ2πA0α0ηkμ(1+Lπ2K22)J1(γ0L)-  iL(23+πη2kμK21)J2(γ0L),

a2=1Δ2πA0α0iL(23+πη2kμK21)J1(γ0L)  +ηkμ(1+Lπ2K11)J2(γ0L),

где

Δ=ηkμ21+Lπ2K111+Lπ2K22   L223+πη2kμK122.

3. Вычисление вспомогательных интегралов Kij с помощью теории вычетов

Вычислим интегралы  Kij   (ij = 01,2), входящие в формулы (37) для нахождения коэффициентов  a1 и a2:

Kij=+ΔγJi+1γLJjγLdγ,                                                             (39)

где

Δγ=r ctg raγsgn γ.

Запишем множитель Δ(γ) в несколько другой форме:

Δγ=1γrcosraγsinrasinra.

Полюса подынтегрального выражения определяются нулями знаменателя множителя Δ(γ):

rm=πma,  m=1,¯.

В этих особых точках :

γm=±k2mπa2.

Для больших  m    (m) можно положить, что γmimπa.

Если ввести обозначение:

f=1γrcosraγsinrasinraJi+1γLJjγL,

то по теореме о вычетах имеем:

Kij=2πiResfγ=0+±γmResfγm,

Resfγ=0=kcoskasinkaJi(0)Jj(0)=k ctg kaδi0δj0,

Resfγm=rm2Ji(γmL)Jj(γmL)γm2a=1armγm2Ji(γmL)Jj(γmL).

Выше мы воспользовались следующими формулами [4]:

Res=f(a)g'(a),  (sinra)'=aγcosrar.                                                    (40)

Тогда, учитывая, что rm=πma, формулу для нахождения Kij можно переписать в виде:

Kij=2iπk ctg kaδi0δj0π2a3m=1m2γm2JiγmLJjγmL=        (41)

=2πik ctg kaδi0δj0+iπ2a31γ12Jiγ1LJjγ1L+

+1am=2JiiπaLmJjiπaLm.

Так как в нашем случае i, j  ≠ 0 (для Kij в формулах (38) i, j = 1,2). то первый член в равенстве (41) равен нулю. Ограничиваясь в выражении (41) вторым членом, в первом приближении интегралы Kij можно вычислять по формулам i, j = 1,2

Kij=2iπ3γ12a3Ji(γ1L)Jj(γ1L).                                                                      (42)

4. Дифракция основной волны прямоугольного волновода на отрезке активной полупроводниковой пленки с отрицательной дифференциальной проводимостью, расположенной на узкой стенке

Из выражения (13) с учетом соотношения (32) для функции e'xt найдем коэффициент A(γ)

Aγ=12πγiLsinra×                                                                                       (43)

×11a1T1(t)eiγLt1t2dt+11a2T2(t)eiγLt1t2dt.

Учитывая, что T1(t) = t, а T2(t) = 2t2 - 1 вычислим интегралы в формуле (43):

11T1(t)eiγLt1t2dt=iπJ1(γL),

11T2(t)eiγLt1t2dt=2πJ1(γL)γLJ2(γL)πJ0(γL).

Подставляя значения вычисленных выше интегралов в соотношение (43) получим, что:

Aγ=12πiπLγsinra×                                                                         (44)

ia1J1(γL)+a22J1(γL)γL2J2(γL)J0(γL).

С учетом выражения (344) для A(γ) электрическое поле в волноводе определяется следующим образом:

Ex=A0sin(r1(ay))eiγ1z+iL2×                                                         (45)

×+1γsinraia1J1(γL)+a22J1(γL)γL

2J2(γL)J0(γL)sinr(ay)eiγzdγ.

Интеграл в (45) будем вычислять по формуле вычетов. Используя соотношения (40) и равенство:

sinraγ'=γ2acosrar,

а так же тот факт, что в волноводе распространяется только основная мода, то есть:

γ1=k2πa2,

получаем выражение для составляющей электрического поля в прямоугольном волноводе с отрезком полупроводниковой пленки:

Ex=A0+Lπ2γ12a2ia1J1(γ1L)+a22J1(γ1L)γ1L2J2(γ1L)J0(γ1L)×sinr1(ay)eiγz.

Так как, по определению коэффициент прохождения основной волны в прямоугольном волноводе определяется следующим образом:

T=limzEx(γ1,z)sinr1(ay)eiγ1z,

то окончательно, для него получаем простую формулу:

T=1+Lπ2γ12a2ia1J1(γ1L)+2J1(γ1L)γ1L2J2(γ1L)J0(γ1L)           (46)

Для вычисления модуля коэффициента прохождения T(α) в дальнейшем обозначаемом |T(α)| где α = γ1L, и фазы коэффициента прохождения argT(α) необходимо вычислить коэффициенты a1 и a2 Вспомним, что

η=kδ1δ24rΠΟ2,

Где rΠΟ2=k2εΠγ12, а комплексная проницаемость пленки εΠ=εi4πσ/ω. Тогда для коэффициента η получим следующее выражение:

η=η1iη2,                                                                                            (47)

η1=kδcc2πk2δ2σω2,                                                                         (48)

η2=π(kδ)3σωc2πk2δ2σω2,

с = 1 + γ1δ2 + δ2k2ε.

Оценим значения коэффициентов 1 и  η2 при ε = 10, σ/ɷ = 1, частоте ƒ = 40 ГГц. Нетрудно показать, что при kδ = 0.01 – η1 = 0.02, η2 = 0.00002; при kδ = 0.1 –  η1 = 0.24, η2 = 0.03; при kδ = 0.3 –  η1 = 0.8, η= 1.5.

На рис. 2 и 3 приведены результаты расчета |T| и arg(T) для разных значений γ1L и разных значений параметров пленки. Штриховые линии на этих рисунках соответствуют случаю σ = 0. Из анализа кривых, изображенных на рис. 2 и 3 следует, что функции |T| и arg(T) имеют резонансный характер, причем минимальному |T| соответствует максимальное значение arg(T). Можно сделать вывод, что при малых значениях kδ  (kδ = 0.01) |T| и arg(T) изменяются мало и кривая 1 (соответствующая случаю kδ = 0.01) близка к штриховой линии (случай σ = 0).  При увеличении kδ увеличиваются пределы изменения |T|  и arg(T). Из рисунка следует, что существуют такие интервалы γ1L (при kδ ≥ 0,1), где коэффициент |T|  становится больше 1, что соответствует случаю усиления электромагнитной волны в активной полупроводниковой пленке с отрицательной дифференциальной проводимостью.

 

Рис. 2. Зависимость модуля коэффициента прохождения T от длины полупроводниковой пленки γ1L:  ε = 10; σ/ɷ = 1, ƒ = 40 ГГц, 1 – kδ = 0,01;  2 – kδ = 0,1;  3 – kδ = 0,3

Fig. 2. Dependence of the modulus of the transmission coefficient T on the length of the semiconductor film γ1L:  ε = 10; σ/ɷ = 1, ƒ = 40 ГГц, 1 – kδ = 0,01;  2 – kδ = 0,1;  3 – kδ = 0,3

 

Рис. 3. Зависимость аргумента коэффициента прохождения T от длины полупроводниковой пленки  γ1L:  ε = 10; σ/ɷ = 1, ƒ = 40 ГГц, 1 – kδ = 0,01;  2 – kδ = 0,1;  3 – kδ = 0,3

Fig. 3. Dependence of the transmission coefficient argument T on the length of the semiconductor film γ1L:  ε = 10; σ/ɷ = 1, ƒ = 40 ГГц, 1 – kδ = 0,01;  2 – kδ = 0,1;  3 – kδ = 0,3

×

About the authors

Andrey A. Voronoi

Povolzhskiy State University of Telecommunications and Informatics

Author for correspondence.
Email: arminvanburn@yandex.ru

Candidate of Physical and Mathematical Sciences, associate professor, deputy head of the Department of Radio Electronic Systems

Russian Federation, 23, L. Tolstoy Street, Samara, 443010

Alexander A. Soldatov

Povolzhskiy State University of Telecommunications and Informatics

Email: solger259145@yandex.ru

Candidate of Physical and Mathematical Sciences, associate professor of the Department of Radio Electronic Systems

Russian Federation, 23, L. Tolstoy Street, Samara, 443010

Victor P. Kubanov

Povolzhskiy State University of Telecommunications and Informatics

Email: kubanov@psati.ru

Doctor of Technical Sciences, professor of the Department of Radio Electronic Systems

Russian Federation, 23, L. Tolstoy Street, Samara, 443010

References

  1. V. A. Neganov et al., “An Analytical Method for Calculating Thin Longitudinal Inhomogeneities in Waveguide Microwave Structures,” in Elektrodinamika i tekhnika SVCh i KVCh: tez. dokl. V Mezhd. nauch.-tekhn. konf., 1995, pp. 37–38. (In Russ.)
  2. V. V. Nikol'skiy and T. I. Nikol'skaya, Electrodynamics and Radio Wave Propagation. Moscow: Nauka, 1989. (In Russ.)
  3. N. I. Muskheshvili, Singular Integral Equations. Moscow: Nauka, 1986. (In Russ.)
  4. Ango, Mathematics for Electrical and Radio Engineers: A Handbook. Moscow: Nauka, 1967. (In Russ.)
  5. D. P. Tabakov, S. V. Morozov, and D. S. Klyuev, “Application of the thin-wire integral representation of the electromagnetic field to the solution of the problem of diffraction of electromagnetic waves by conducting bodies,” Physics of Wave Processes and Radio Systems, vol. 25, no. 2, pp. 7–14, 2022, doi: https://doi.org/10.18469/1810-3189.2022.25.2.7-14. (In Russ.)
  6. D. S. Klyuev et al., “The occurrence of fluctuations in the amplitude and phase of a radio signal in a turbulent atmosphere,” Physics of Wave Processes and Radio Systems, vol. 26, no. 1, pp. 28–37, 2023, doi: https://doi.org/10.18469/1810-3189.2023.26.1.28-37. (In Russ.)

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2. Fig. 1. Rectangular waveguide with a semiconductor film of finite length along a narrow wall

Download (74KB)
3. Fig. 2. Dependence of the modulus of the transmission coefficient T on the length of the semiconductor film γ1L:  ε = 10, σ/ɷ = 1, ƒ = 40 ГГц, 1 – kδ = 0,01;  2 – kδ = 0,1;  3 – kδ = 0,3

Download (144KB)
4. Fig. 3. Dependence of the transmission coefficient argument T on the length of the semiconductor film γ1L:  ε = 10; σ/ɷ = 1, ƒ = 40 ГГц, 1 – kδ = 0,01;  2 – kδ = 0,1;  3 – kδ = 0,3

Download (164KB)

Copyright (c) 2023 Voronoi A.A., Soldatov A.A., Kubanov V.P.

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

СМИ зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор).
Регистрационный номер и дата принятия решения о регистрации СМИ: серия ФС 77 - 68199 от 27.12.2016.

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies