Методика анализа температурных напряжений в микросхемах


Цитировать

Полный текст

Аннотация

В статье рассмотрена методика анализа температурных напряжений в полупроводниковых и плёночных микросхемах. Проведён анализ основных типов температурных напряжений: изгиба, сдвига, внутренних. Приведены выражения для оценки температурных напряжений.

Об авторах

Г. Ф. Краснощекова

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Автор, ответственный за переписку.
Email: kipres@ssau.ru

Кандидат технических наук

Доцент кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств

Россия

С. В. Тюлевин

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Email: kipres@ssau.ru

Кандидат технических наук

Доцент кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств

Россия

А. В. Наседкин

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Email: kipres@ssau.ru

Аспирант кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств

Россия

Р. О. Мишанов

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Email: kipres@ssau.ru

Студент

Россия

Список литературы

  1. Взятышев В.Ф. Методы поиска проектно-конструкторских решений при разработке радиоэлектронных средств. М: изд-во МЭИ, 1983. 85 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Вестник СГАУ, 2015

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах