Методика анализа температурных напряжений в микросхемах
- Авторы: Краснощекова Г.Ф.1, Тюлевин С.В.1, Наседкин А.В.1, Мишанов Р.О.1
-
Учреждения:
- Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
- Выпуск: Том 13, № 2 (2014)
- Страницы: 138-141
- Раздел: ВЫПУСК БЕЗ РАЗДЕЛОВ
- URL: https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/1803
- DOI: https://doi.org/10.18287/1998-6629-2014-0-2(44)-138-141
- ID: 1803
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В статье рассмотрена методика анализа температурных напряжений в полупроводниковых и плёночных микросхемах. Проведён анализ основных типов температурных напряжений: изгиба, сдвига, внутренних. Приведены выражения для оценки температурных напряжений.
Ключевые слова
Об авторах
Г. Ф. Краснощекова
Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
Автор, ответственный за переписку.
Email: kipres@ssau.ru
Кандидат технических наук
Доцент кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств
РоссияС. В. Тюлевин
Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
Email: kipres@ssau.ru
Кандидат технических наук
Доцент кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств
РоссияА. В. Наседкин
Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
Email: kipres@ssau.ru
Аспирант кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств
РоссияР. О. Мишанов
Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
Email: kipres@ssau.ru
Студент
РоссияСписок литературы
- Взятышев В.Ф. Методы поиска проектно-конструкторских решений при разработке радиоэлектронных средств. М: изд-во МЭИ, 1983. 85 с.