Устройство для отбраковки полупроводниковых диодов


Цитировать

Полный текст

Аннотация

В статье описано устройство контроля, позволяющее производить отбраковку полупроводниковых диодов. Предлагаемое устройство имеет высокую точность и достоверность контроля. Устройство позволяет задавать различные скорости изменения выходного напряжения генератора пилообразного напряжения. Контроль качества диода производится по обратной ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ). Устройство обеспечивает лучшее соотношение сигнал/шум при низких уровнях тока.

Об авторах

С. В. Тюлевин

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Email: kipres@ssau.ru

Кандидат технических наук

Доцент кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств

Россия

М. Н. Пиганов

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Автор, ответственный за переписку.
Email: piganov@ssau.ru

Доктор технических наук, профессор

Профессор кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств

Россия

Г. П. Шопин

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Email: mirtea@ya.ru

Кандидат технических наук

Доцент кафедры электронных систем и устройств

Россия

А. И. Архипов

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Email: kipres@ssau.ru

Аспирант кафедры конструирования и технологии электронных систем и устройств

Россия

Список литературы

  1. Тюлевин С.В., Архипов А.И., Пиганов М.Н., Елизаров С.В. Анализ эффективности прогнозных моделей параметров качества микросхем // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета имени академика С. П. Королёва (национального исследовательского университета). 2011. № 7(31). С. 58-63.
  2. Шумских И.Ю., Тюлевин С.В., Пиганов М.Н. Прогнозные математические модели качества печатных узлов космической аппаратуры // Известия Самарского научного центра РАН. 2011. Т. 13. № 4(4). С. 1127-1133.
  3. Пиганов М.Н. Индивидуальное прогнозирование показателей качества элементов и компонентов микросборок. М.: Новые технологии, 2002. 267 с.
  4. Пиганов М.Н., Тюлевин С.В. Прогнозирование надежности радиоэлектронных средств // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика. Телекоммуникации. Управление. 2009. №1 (72). С. 174-180.
  5. Тюлевин С.В., Пиганов М.Н. Структурная модель индивидуального прогнозирования параметров космической аппаратуры // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета. 2008. № 1. С.92-96.
  6. Андреева В.В., Пиганов М.Н., Роюк В.Н., Скоморохов Г.Ю. Индивидуальное прогнозирование стабильности прецизионных тонкопленочных конденсаторов на основе алюмината неодима // Электронная техника. Сер. «Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания». 1980. Вып.4. С. 10-12.
  7. Тюлевин С.В., Козлова И.Н. Выбор методов индивидуального прогнозирования показателей качества РЭС на основе экспертных оценок // Современные направления теоретических и прикладных исследований – 2009: Сборн. научн. тр. по матер. междун. НПК 16-27.03.2009. Т.4. Украина, Одесса: Черноморье, 2009. С. 25-28.
  8. Андреева В.В., Пиганов М.Н., Скоморохов Г.Ю. Индивидуальное прогнозирование стабильности прецизионных тонкопленочных конденсаторов // Микроминиатюризация радиоэлектронных устройств: Межвуз. сб. Рязань: РРТИ, 1980. Вып.3. С. 72-76.
  9. Андреева В.В., Пиганов М.Н., Беляков А.И. Индивидуальное прогнозирование экстраполяцией стабильности тонкопленочных резисторов // Микроминиатюризация радиоэлектронных устройств: Межвуз. сб. Рязань: РРТИ, 1981. Вып.4. С. 123-127.
  10. Тюлевин С.В., Пиганов М.Н. Методика обучающего эксперимента при индивидуальном прогнозировании показателей качества космических РЭС // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций: Материалы всероссийской НТК 13-15 мая 2008 г. Самара. Самара: Издательство СГАУ, 2008. С. 239-253.
  11. Пиганов М.Н., Шопин Г.П., Тюлевин С.В., Токарева А.В. Устройство для снятия фазочастотной характеристики усилителей. Пат. 2480775. Российская Федерация МПК G1R27 /28.; заявитель и патентообладатель: Самарский государственный аэрокосмический университет. №2011128883/28; заявл. 12.07.2011, опублик. 27.04.2013. Бюл. №12.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Вестник СГАУ, 2015

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах