Том 20, № 4 (2017)

Решена задача электродинамического анализа модового состава круглого волновода с тонкими радиальными металлическими ребрами. Разработан алгоритм расчета критических волновых чисел и компонент электромагнитных полей Н-волн с учетом особенности поведения поля вблизи тонкого металлического ребра. Проведено исследование спектральных характеристик волновода. Реализовано построение картин электромагнитных полей основной и высших типов волн.

В работе рассматривается возможность за счет использования «окон прозрачности» увеличения скорости передачи информации в радиотехнических системах передачи информации, использующих многопозиционные фазоманипулированные сигналы с n дискретными состояниями, которые функционируют при межсимвольных искажениях, вызванных со стороны линейных избирательных систем радиотракта. Произведена оценка стабильности «окон прозрачности» при наличии дестабилизирующих факторов (расстройки по частоте и погрешностей измерения фазы). Представлены рекомендации по использованию «окон прозрачности».

Рассмотрен технологический маршрут изготовления радиоэлектронных печатных узлов. Установлено, что наиболее критической операцией является пайка оплавлением в парогазовой фазе. Методом экспертных оценок выявлены наиболее существенные факторы данной операции. Для построения математической модели был проведен дробный факторный эксперимент. Получено уравнение регрессии. Проведена проверка данного уравнения на адекватность. Было осуществлено движение по поверхности отклика в направлении градиента линейного приближения до достижения области экстремума. При этом достигнуто увеличение критерия качества.

Исследованы спектральные зависимости коэффициента отражения и вольтамперные характеристики структур для ФЭП на базе пористого кремния с одно- и двухслойными покрытиями из сульфида цинка и фторида диспрозия. Показано, что ФЭП на основе структур с двухслойным покрытием обладают наибольшей эффективностью преобразования, что подтверждает пассивирующие свойства фторида диспрозия на различных типах рабочей поверхности.

Рассмотрены вопросы исследования стойкости полупроводниковых приборных структур к действию факторов открытого космического пространства. Показана необходимость комплексного исследования электрофизических параметров полупроводниковых слоев в течение космического полета. Предложены образцы приборных структур, позволяющие исследовать влияние факторов космического пространства на удельное сопротивление полупроводникового слоя, на свойства контактов металл - полупроводник, на состояние границы диэлектрик - полупроводник. Рассмотрены методы измерения удельного сопротивления, контактного сопротивления, коэффициента Холла, вольтамперных и вольт-фарадных характеристик образцов приборных структур. Предложены схемы измерения перечисленных параметров, адаптированные для работы в составе автоматических измерительных систем.