Соотношение между концентрациями свободных носителей заряда в равновесном полупроводнике

  • Авторы: Арефьев А.1
  • Учреждения:
    1. Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики
  • Выпуск: Том 16, № 2 (2013)
  • Страницы: 94-95
  • Раздел: Статьи
  • URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7374
  • ID: 7374

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Получено соотношение, связывающее концентрации свободных носителей заряда в ненамагниченной равновесной плазме полупроводника. Соотношение выведено из условий равенства нулю плотностей токов электронов проводимости и дырок.

Об авторах

А.С. Арефьев

Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики

Автор, ответственный за переписку.
Email: arefyev.as@inbox.ru

Список литературы

  1. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. 584 с.Владимиров В.В., Волков А.Ф., Мейлихов Е.З. Плазма полупроводников. М.: Атомиздат, 1979. 256 с.Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1970. 720 с.Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Арефьев А., 2013

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

СМИ зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор).
Регистрационный номер и дата принятия решения о регистрации СМИ: серия ФС 77 - 68199 от 27.12.2016.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах