Отправить статью по E-mail 
Оценка скорости изменения параметров биполярного СВЧ-транзистора, работающего в высокотемпературном режиме
- Авторы: Федотов А.1
-
Учреждения:
- Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
- Выпуск: Том 17, № 1 (2014)
- Страницы: 45-49
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7289
- ID: 7289
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Вычислена скорость изменения топологических параметров (ширина и уровень легирования базы, коэффициент неоднородности) биполярного p-n-p-транзистора, предназначенного для работы при температурах
Об авторах
А.Б. Федотов
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Автор, ответственный за переписку.
Email: nntu@nntu.nnov.ru
Список литературы
- Пожела Ю.К. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с.Hansen O. Diffusion in a short base // Solid-State Electronics. 1994. V. 37. № 9. P. 1663-1669.Pulfrey D.L., St. Denis A.R., Vaidyanatham M. Compact modeling of high-frequency smoll-dimention bipolar transistor // IEEE COMMAD98. 1998. P. 1-5.Александров О.В. Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1289-1298.Velichko O.I., Aksenov V.V., Kovaleva A.P. Modeling of the interstitial diffusion in crystalline silicon // Journal of Engineering Physics and Thermophysics. 2012. V. 85. № 4. P. 926-932.Гуртов В.А. Твердотельная электроника. М.: Мир, 2005, 492 с.Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с.
Дополнительные файлы
