Отправить статью по E-mail 
Моделирование ионизационных эффектов в элементах микросхем за счёт влияния радиации
- Авторы: Фортинский Ю.К.1
-
Учреждения:
- Воронежская государственная лесотехническая академия
- Выпуск: Том 10, № 1 (2011)
- Страницы: 178-182
- Раздел: ЭЛЕКТРОНИКА, ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА, РАДИОТЕХНИКА И СВЯЗЬ
- URL: https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/993
- DOI: https://doi.org/10.18287/2541-7533-2011-0-1(25)-178-182
- ID: 993
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Описаны модели расчёта тока ионизации в полупроводниковых структурах, который возникает при воздействии импульсного радиационного воздействия гамма-излучения. Ток определяется с учётом температуры окружающей среды и топологии элементов микросхем, а также времени воздействия. Кроме того, учтены эффекты нелинейности, характерные для высокой мощности дозы гамма-излучения.
Ключевые слова
Об авторах
Ю. К. Фортинский
Воронежская государственная лесотехническая академия
Автор, ответственный за переписку.
Email: wkz@rambler.ru
Кандидат технических наук
Докторант кафедры вычислительной техники и информационных систем
РоссияСписок литературы
- Ачкасов, В. Н. Разработка средств автоматизации
- проектирования специализированных микросхем для управляющих
- вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, В.Е. Межов, В. К. Зольников.
- - Воронеж: Воронеж. гос. ун-т, 2005. - 240 с.
- Фортинский, Ю.К. Автоматизация управления и проектирования в электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский, В.Е. Межов, В.К. Зольников, П.П. Куцько. - Воронеж: Воронеж. гос. ун-т, 2007. - 275 с.
Дополнительные файлы
