Отправить статью по E-mail 
Использование эффекта обратной связи в полупроводниковых лазерах для построения систем диагностики состояния многослойных сотовых оболочек
- Авторы: Сазонникова Н.А.1, Гребнев Д.Н.2, Шулепова О.В.1
-
Учреждения:
- Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
- ГНП РКЦ «ЦСКБ-Прогресс», г. Самара
- Выпуск: Том 8, № 3-1 (2009): Специальный выпуск
- Страницы: 382-388
- Раздел: АВИАЦИОННАЯ И РАКЕТНО-КОСМИЧЕСКАЯ ТЕХНИКА
- URL: https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/725
- DOI: https://doi.org/10.18287/2541-7533-2009-0-3-1(19)-382-388
- ID: 725
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Для обеспечения стабильности оптической оси дефектоскопической системы и исключения различий температурных характеристик источника и приемника излучения целесообразно совмещение функций источника и приемника излучения в одном элементе. Реализовать эту возможность позволяет эффект обратной связи, характерный для полупроводниковых лазеров. Работу полупроводникового лазера с внешней оптической обратной связью можно описать в рамках модели составного резонатора.
Ключевые слова
Об авторах
Н. А. Сазонникова
Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
Автор, ответственный за переписку.
Email: nasazonnikova@yandex.ru
Россия
Д. Н. Гребнев
ГНП РКЦ «ЦСКБ-Прогресс», г. Самара
Email: nasazonnikova@yandex.ru
Россия
О. В. Шулепова
Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
Email: nasazonnikova@yandex.ru
Россия
Список литературы
- Сазонникова, Н.А. Оптический способ оценки поверхностных повреждений / Н.А. Сазонникова, В.И. Мордасов, А.А. Шуваев // Компьютерная оптика, МЦНТИ, - 2000. Вып. 20. - С.106 – 110.
- Ву, Ван Лык. Оптический и электрический отклики в InGaAsP/InP-лазерах и усилителях на внешнюю обратную связь и их применения / В.Л. Ву [и др.] // Инжекционные лазеры и их применение.- М.: Наука, 1992. Тр.ФИАН, Т.216, - С.144-172.
- Физика полупроводниковых лазеров: Пер. с японск. / под ред. Х. Такумы. - М.: Мир, 1989. - 310 с.
- Елисеев, П.Г. Исследование планарных полосковых гетеролазеров на основе AlGaAs-GaAs / П.Г. Елисеев [и др.]. // Инжекционные лазеры (Тр. ФИАН; Т.141). - М.: Наука, 1983. - С.89-117.
- Gharbi, T. Backscatter-modulated laser diode for low-frequency small-amplitude vibration measurement / T. Gharbi, A. Courteville, A. Chebbour. // Applied Optics, 1 November 1997, Vol. 36, No.31. - p.8233-8236.
Дополнительные файлы
