Отправить статью по E-mail 
Расчёт параметров модели Дила-Гроува окисления кремния
- Авторы: Айзикович А.А.1, Демаков Ю.П.1
-
Учреждения:
- Ижевский государственный технический университет
- Выпуск: Том 10, № 7 (2011)
- Страницы: 64-68
- Раздел: ВЫПУСК БЕЗ РАЗДЕЛОВ
- URL: https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/2956
- DOI: https://doi.org/10.18287/2541-7533-2011-0-7(31)-64-68
- ID: 2956
Цитировать
Полный текст
Аннотация
С использованием математического моделирования в среде Mathcad определены значения кинетических коэффициентов (параметров окисления) в модели Дила – Гроува на основе имеющихся экспериментальных данных для сухого и влажного окисления кремния. Получено удовлетворительное совпадение результатов моделирования с экспериментальными кинетическими кривыми.
Об авторах
А. А. Айзикович
Ижевский государственный технический университет
Автор, ответственный за переписку.
Email: pmi@istu.ru
Кандидат физико-математических наук, доцент
Заведующий кафедрой прикладной математики и информатики
Ю. П. Демаков
Ижевский государственный технический университет
Email: pribor@istu.ru
Кандидат физико-математических наук, профессор
Декан приборостроительного факультета
Список литературы
- Deal B.E., Grove A.S. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon // Journal of Applied Physics, 36 (12): 3770-3778 p.
- Термическое окисление кремния. URL: http://dssp.petrsu.ru/~KOF/OLD/phys/spesh/vlsi/okisterm_a.html#oborud
- (дата обращения: 05.2011).
- Richard C. Jaeger Thermal Oxidation of Silicon // Introduction to Microelectronic Fabrication. Upper Saddle River: Prentice Hall, 2002.
- Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Технология производства полупроводниковых приборов. Л.: Энергия, 1968. 240 с.
Дополнительные файлы
