Simulation of responses p-n junction to dynamic influences

Моделирование реакций p-n перехода на динамические воздействия

Авторы: Боднарчук Г.А.¹
Учреждения:
1. Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва (национальный исследовательский университет)
Выпуск: Том 13, № 2 (2014)
Страницы: 11-15
Раздел: ВЫПУСК БЕЗ РАЗДЕЛОВ
URL: https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/1780
DOI: https://doi.org/10.18287/1998-6629-2014-0-2(44)-11-15
ID: 1780

Цитировать

Моделируются процессы, протекающие в p-n переходе под действием ступенчатого смещающего напряжения и импульсного освещения.

Преобразователь перемещения в код, уравнение непрерывности, фотоприёмник, моделирование

Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва (национальный исследовательский университет)

Автор, ответственный за переписку.
Email: Gennadiy.Bodnarchuk@gmail.com

Ассистент

Россия

Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.

Доп. файлы

Действие

1. JATS XML