Том 16, № 2 (2013)

Исследуется возможность интерференционного управления поглощательной способностью тонкого слоя магнетика за счет изменения разности фаз встречных когерентных волн, падающих на его противоположные стороны, и внешнего магнитного поля. В зависимости от указанных параметров слой может быть как сильно-, так и слабопоглощающим. При этом возможны как полное поглощение, так и практически бездиссипативное прохождение энергии через поглощающий слой, т. е. «затемнение» слоя или его «просветление».

Рассмотрена динамика двух первоначально перепутанных искусственных двухуровневых атомов с вырожденными двухфотонными переходами, взаимодействующих индуктивно со сверхпроводящей электронной LC -цепью в тепловом состоянии. Исследовано влияние начальной атомной когерентности состояний кубитов и их прямого диполь-дипольного взаимодействия на степень перепутывания.

В статье представлены результаты решений дисперсионных уравнений плазмон-поляритонных волн, распространяющихся в круглом металлическом наностержне и круглом диэлектрическом волноводе с металлической пленкой. Приведены распределения зависимостей у указанных волн компоненты электрического поля E _ z от радиальной координаты. Представлен сравнительный анализ характеристик существующих в рассмотренных электродинамических структурах плазмон-поляритонных волн. Результаты получены с учетом реальных свойств металлов в оптическом диапазоне.

Разработана численная модель автоколебательной системы с дифференциальным уравнением движения дробного порядка. Приведены результаты моделирования процесса установления автоколебаний. Они сопоставлены с приближенными аналитическими результатами, полученными в квазигармоническом приближении.

С использованием частотно-угловых характеристик плоских апертурных антенн при передаче–приеме негармонических сигналов найдена дисперсия оценки координат излучателей последовательностей сверхширокополосных импульсов в дальномерных системах местоопределения.

В статье рассмотрены физические свойства, условия охлаждения и структура углеродных пленок; достоинства и недостатки алмазоподобных углеродных пленок, области применения; методы PVD. Предложена модель связывания атомов углерода, имплантированных в аморфную углеродную матрицу, согласно которой единственным и достаточным условием является ограничение температуры матрицы. Модель sp^3-связывания позволяет оценить понимание механизма PVD углеродных пленок, а также нестабильных фаз других веществ и материалов.

В статье рассмотрена цилиндрическая спиральная антенна с линейным шагом намотки, расположенная над идеально проводящей плоскостью. Построена корректная физическая модель структуры. Показано, что в данной постановке решение задачи о распределении тока в спирали сводится к решению сингулярного интегрального уравнения. Для сравнения приведена математическая модель спиральной антенны в тонкопроволочном приближении, а также алгоритм решения интегральных уравнений. Проведен сравнительный анализ распределений тока в спирали.

Получено соотношение, связывающее концентрации свободных носителей заряда в ненамагниченной равновесной плазме полупроводника. Соотношение выведено из условий равенства нулю плотностей токов электронов проводимости и дырок.

В статье рассмотрены и приведены физическая и математическая модели процесса вторичной электронной эмиссии – вторичных электронов, вырванных из метала при облучении поверхности металла потоком первичных электронов. Предложен анализ процессов, протекающих в эффективных эмиттерах, при условии облучения сканирующим пучком и выбор необходимых аппаратных и технических средств. Выполнен анализ погрешности измерения коэффициента вторичной электронной эмиссии при различных схемах контроля. Содержатся теоретические обоснования для построения математической модели выхода вторичных электронов из твердого тела под действием падающего на него потока первичных электронов. На основе математической модели, являющейся результатом решения кинетического уравнения, разработан алгоритм расчета коэффициента истинной вторичной электронной эмиссии в зависимости от энергии первичных электронов. Изложена структурная схема автоматизированного программно-технического комплекса, позволяющего измерять коэффициент вторичной электронной эмиссии различных материалов с высокой степенью достоверности.