Том 18, № 2 (2015)

В настоящей работе нами рассмотрено влияние начальной атомной когерентности на динамику перепутывания двух кубитов, один из которых находится в идеальном резонаторе и взаимодействует с модой теплового квантового электромагнитного поля, а второй вне резонатора. Показано, что атомная когерентность в такой модели может быть использована для эффективного контроля за степенью перепутанности кубитов.

В последнее время уделяется много внимания поиску новых материалов для нанотехнологий. В числе прочих активно исследуются нанотрубки, созданные из углерода, но с атомами замещения. Так, было установлено, что стабильные нанотубулярные структуры получаются при замещении атомов углерода атомами бора в соотношении 1:3. Однако до настоящего времени особенности механизмов взаимодействия данных нанотубулярных структур с различными веществами не были изучены в полном объеме. А это - основополагающее звено в цепи определения области применения нанотубуленов. Поскольку применение наноструктур в наноэлектронике предусматривает взаимодействие с металлами, именно этот механизм и выглядит наиболее актуальным и важным для изучения. В статье рассматривается влияние поверхностной металлизации бороуглеродных нанотрубок различных типов, различающихся способом упорядочения атомов углерода и бора поверхности нанотрубок, а также их внутреннего заполнения атомами щелочных металлов, на изменение типа проводимости тубуленов. Выявлены особенности механизмов проникновения атомов металлов в полость нанотрубки, и установлена энергия интеркалирования полученного композита. Изучено влияние металлической сверхрешетки на электронное строение бороуглеродных нанотрубок.

Проведен расчет поверхностной проводимости монослоя графена, определяемой формулой Кубо, в модели, учитывающей внутри- и межзонную проводимости и комплексной диэлектрической проницаемости графена от частоты. Исследовано влияние на проводимость графена изменения химического потенциала при приложении внешнего электрического поля в терагерцовом диапазоне частот.

Рассматриваются отличия спектра вынужденных колебаний дисковых диэлектрических резонаторов при использовании распределенной связи с диэлектрическими волноводами от собственных колебаний такого резонатора. Исследуется влияние на амплитудно-частотную характеристику резонатора, возбуждаемого на волнах шепчущей галереи, величины распределенной связи резонатора с диэлектрическими волноводами и роль межтипового взаимодействия при «чисто внутреннем» возбуждении мешающей моды.

На основе численного решения интегро-дифференциальных уравнений с пространственно-временными операторами для эквивалентных осевых распределений токов и зарядов проведен анализ вторичного излучения радиоимпульсов зеркально-асимметричным элементом в виде разомкнутого кольца с перпендикулярными его плоскости отрезками на краях разрыва. Исследовано влияние аналитических свойств огибающих и частотно-временных параметров облучающих сигналов на энергетическую диаграмму рассеяния объекта.

Получены оценки потенциальной точности определения координат целей в многопозиционных просветных радиолокационных системах с подвижными позициями. Рассмотрены два аналитических метода определения координат. Приведены результаты математического моделирования.

By using current-voltage characteristic and electro-photo luminescence measurements, the efficiency of spin electronic injection was investigated in the Co/Al_2 O_3 tunnel barrier/GaAs based structure, where spin current was generated by electric injection from FM to GaAs through the tunnel barrier. The investigations were performed on the devices with different tunnel barrier thickness of Al_2 O_3 surmounted by a thin Co ferromagnetic layer. The increase of the effectiveness of the electrical injection was identified by an increase in the intensity of electroluminescence; thereby we can define the optimal thickness of the layer of Al_2 O_3 as a tunnel and as a diffusion barrier. Also, manipulation of the tunneling barrier thickness leads to control of emission threshold of diode structures and sensitive diode. We also demonstrated the dependence between the tunneling barrier thickness and Schottky barrier height and the resistance of diode structure.