Отправить статью по E-mail 
Экспериментальное исследование полупроводниковых структур источника питания на углероде-14
- Авторы: Чепурнов В.1, Пузырная Г.1, Гурская А.2, Долгополов М.3, Анисимов Н.2
-
Учреждения:
- Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева ООО «БетаВольтаика»
- Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
- ООО «БетаВольтаика» Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
- Выпуск: Том 22, № 3 (2019)
- Страницы: 55-67
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7497
- DOI: https://doi.org/10.18469/1810-3189.2019.22.3.55-67
- ID: 7497
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В статье представлены результаты исследования карбидокремниевых полупроводниковых (пористых) структур с включением углерода-14. По результатам экспериментальных измерений собраны данные о параметрах фотовольтаического преобразования энергии квантов света в фото-ЭДС для подтверждения эффективности работы p-n-перехода, проведена оценка эффективности введения углерода-14 в молекулу карбида кремния электрофизическими измерениями. В процессе работы использована технология твердофазного преобразования поверхности монокристаллической подложки кремния в фазу монокристаллического карбида кремния посредством химического транспорта углерода-14 в среде водорода.
Об авторах
В.И. Чепурнов
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. КоролеваООО «БетаВольтаика»
Автор, ответственный за переписку.
Email: chvi44@yandex.ru
Г.В. Пузырная
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. КоролеваООО «БетаВольтаика»
Email: vaksa22@gmail.com
А.В. Гурская
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Email: a-gurska@yandex.ru
М.В. Долгополов
ООО «БетаВольтаика»Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Email: volopoglodahsim@mail.ru
Н.С. Анисимов
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Email: ssau@ssau.ru
Список литературы
- Солнечная фотовольтаика: современное состояние и тенденции развития / В.А. Миличко [и др.] // УФН. 2016. Т. 186. № 8. С. 801–852. DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2016.02.037703.Nishino S., Powel J., Will N.A. Production of large area single crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices // Applied Physics Letters. 1983. Vol. 42. P. 460. DOI: https://doi.org/10.1063/1.93970.Латухина Н.В., Чепурнов В.И., Писаренко Г. Перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния // Электроника: наука, технология, бизнес. 2013. № 4(126). С. 104–110.Фотоэлектрические свойства структур с микро- и нанопористым кремнием / Н.В. Латухина [и др.] // Известия Самарского научного центра РАН. 2009. Т. 11. № 3(29). С. 66–71.Ehrenberg W., Lang C.-S., West R. The electron voltaic effect // Proceedings of the Physical Society. Section A. 1951. Vol. 64. № 4. P. 424. DOI: https://doi.org/10.1088/0370-1298/64/4/109.Moseley H.G.J., Harling J. The attainment of high potentials by the use of radium // Proc. R. Soc. Lond. A. 1913. Vol. 88. P. 471. DOI: https://doi.org/10.1098/rspa.1913.0045.Rappaport P.I., Loferski J.J., Lindery E.G. A study program of possible uses new principle // Nucleonics. 1957. Vol. 15. P. 99.A review of nuclear batteries / M.A. Prelas [et al.] // Progress in Nuclear Energy. 2014. Vol. 75. P. 117–148. DOI: https://doi.org/10.1016/j.pnucene.2014.04.007.Патент РФ №2005139163/28 от 15.12.2005. Чепурнов В.И. Способ самоорганизующейся эндотаксии моно 3С–SiC на Si подложке. Опубл. 20.10.2009, 8 (RU2370851).Долгополов М.В., Латухина Н.В., Чепурнов В.И., Гурская А.В. Способ получения пористого слоя гетероструктуры карбида кремния на подложке кремния. Патент № 2653398, получен 18.05.2018, приоритет 19.07.2016.Study of surface defects on 3C–SiC films grown on Si (III) by CVD / M.J. Hernander [et al.] // Journal of Crystal Growth. 2003. Vol. 253. № 1–4. P. 95–101. DOI: https://doi.org/10.1016/S0022-0248(03)01024-8.Epitaxial growth of β-SiC single crystals by successive two-step CVD / A. Suzuki [et al.] // Journal of Crystal Growth. Vol. 70. 1984. P. 287–290. DOI: https://doi.org/10.1016/0022-0248(84)90275-6.Hong J.D., Davis R.F. Self-diffusion of carbon-14 in high-purity and N-doped α-SiC single crystals // Journal of the American Ceramic Society. 1980. Vol. 63. № 9–10. P. 546-552. DOI: https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1980.tb10762.x.Hon M.H, Mater R.F. Self-diffusion of C-14 in polycrystalline β-SiC // Journal of Materials Science. 1979. Vol. 14. № 10. P. 2411–2421. DOI: https://doi.org/10.1007/BF00737031.Lely J.A. Preparation of single crystals of SiC and the effect of the kind and amount of impurities on the lattice // Ber. Dtsch. Ker. Ges. 1955. Vol. 32. P. 229–234.Addamiano A., Potter R.M., Ozarow V. Photoluminescence of α-SiC // J. Electrochem. Soc. 1963. Vol. 110. № 6. P. 517–520. DOI: https://doi.org/10.1149/1.2425804.Potter R.M., Sattele J.H. Induction-heated furnace for growth of α-silicon carbide crystals // J. Cryst. Growth. 1972. Vol. 12. P. 245-248. DOI: https://doi.org/10.1016/0022-0248(72)90009-7.Покоева В.А., Сивакова К.П. Особенности диффузионного легирования структуры SiC/Si для полупроводниковых СВЧ-датчиков фосфором и бором под действием внутреннего электрического поля // Физика волновых процессов и радиотехнических систем. 2007. Т. 10. № 2. С. 110–114.Тейтельбаум А.З., Ходунова А.В. Одновременное моделирование процессов ионного легирования и диффузионного перераспределения примесей в кремнии // Электронная промышленность. 1984. № 9. С. 41–45.Галанин Н.П., Малкович Р.Ш. Математическое моделирование диффузии двух заряженных примесей в полупроводнике с учетом внутреннего электрического поля // ФТП. 1995. Т. 20. № 5. С. 1451–1456.Гурская А.В., Долгополов М.В., Чепурнов В.И. 14C бета-преобразователь // Физика элементарных частиц и атомного ядра. 2017. Т. 48. № 6. С. 901–909Чепурнов В.И., Сивакова К.П., Ермошкин А.А. Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2011. № 2 (83). С. 179–183.Чепурнов В.И. Ассоциаты точечных дефектов различной природы в SiC-фазе полупроводниковой гетероструктуры SiC/Si, полученной методом эндотаксии // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2014. № 7 (118). C. 145–162.Betavoltaic device in por-SiC/Si C-nuclear energy converter / A. Akimchenko [et al.] // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 158. P. 06004. DOI: https://doi.org/10.1051/epjconf/201715806004.Kasap S.O. Principles of Electronic Materials and Devices. N.-Y.: McGraw-Hill Education, 2006. 768 p.
Дополнительные файлы
