Отправить статью по E-mail 
Влияние параметров пластинчатых резисторов на ослабление аттенюаторов
- Авторы: Иванов А.1, Шишков Г.1, Щербаков В.1
-
Учреждения:
- Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
- Выпуск: Том 16, № 3 (2013)
- Страницы: 27-33
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7349
- ID: 7349
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Описано влияние диэлектрической проницаемости и толщины подложки пластинчатых резисторов на ослабление широкополосных коаксиальных фиксированных аттенюаторов. Рассмотрен один из методов оценки равномерности поглощающего слоя пластинчатых резисторов.
Об авторах
А.Е. Иванов
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Автор, ответственный за переписку.
Email: physics@nntu.nnov.ru
Г.И. Шишков
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Email: physics@nntu.nnov.ru
В.В. Щербаков
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Email: physics@nntu.nnov.ru
Список литературы
- Шишков Г.И. Широкополосные коаксиальные аттенюаторы // Антенны. 2004. Вып. 1(80). С. 18–21.Садков В.Д., Горячев Ю.А. Расчет тонкопленочной аттенюаторной пластины // Техника средств связи. Сер.: РИТ. 1977. Вып. 2. С. 13–19.Горячев Ю.А., Шишков Г.И. Анализ тонкопленочных резистивных элементов // Техника средств связи. Сер.: РИТ. 1981. Вып. 6. С. 52–57.Раевский С.Б., Седаков А.Ю., Шишков Г.И. Особенности волн в направляющих структурах с резистивными пленками // Физика и технические приложения волновых процессов: материалы XI международной научно-технической конференции. Екатеринбург, 2012. С. 199.Шишков Г.И. О применении круглого волновода с резистивными пленками на диэлектрической подложке в СВЧ-аттенюаторах // Техника средств связи. Сер.: РИТ. 1982. Вып. 6. С. 46–53.Веселов Г.И., Любимов Л.А. К теории двухслойного диэлектрического волновода в цилиндрическом экране // Радиотехника и электроника. 1963. Т. 8. № 9. С. 1530–1536.Раевский С.Б. К теории двухслойных волноводов с резистивной пленкой между слоями // Изв. вузов СССР. Сер. Радиофизика. 1974. Т. 17. № 11. С. 1703–1706.Бунтилов В.М., Иванов А.Е., Шишков Г.И. Анализ затухания круглого волновода с резистивными пленками на диэлектрической подложке // Техника средств связи. Сер. РИТ. 1983. Вып. 6. С. 65–68.Иванов А.Е., Шишков Г.И. Расчет волноводов с резистивными пленками для тонкопленочных СВЧ-аттенюаторов // Вестник Верхне-Волжского отделения Академии технологических наук РФ. Сер.: Высокие технологии в радиоэлектронике. 1997. Вып. 1. С. 86–90.Бунтилов В.М., Макарычева С.П., Шишков Г.И. Влияние неравномерности поглощающего слоя пластинчатого резистора на ослабление аттенюатора // Техника средств связи. Сер.: РИТ. 1979. Вып. 7. С. 54–57.Коаксиальные, волноводные и оптические устройства: каталог. Нижний Новгород: Нижегородский НИПИ «Кварц», 2013.
Дополнительные файлы
