Разработка методов помехозащищенности радиотехнических систем путем реализации технологии индивидуального отбора и квалификации радиационно-стойкой электронной компонентной базы на этапе ее производства


Цитировать

Полный текст

Аннотация

В статье обобщены и сформулированы методики экспериментального извлечения информации о скрытых параметрах радиационно-стойкой технологии больших интегральных схем, включая методику извлечения дефектных центров оксида кремния. Описаны радиационно-физические методы неразрушающего контроля изделий электронной компонентной базы при ее производстве. Рассмотрены теоретические механизмы ионизационных явлений космического пространства с учетом не локализованных электронных состояний и поляризационных явлений в кристаллах полупроводника и промежуточного слоя диэлектрика. Рассмотрены методы обеспечения помехозащищенности электронной компонентной базы, и сделан вывод о безусловном преимуществе развития технологии «кремний-на-диэлектрике», обеспечившей радиационную стойкость приоритетного уровня как к дозовым эффектам воздействия заряженных частиц космического пространства, так и одиночным сбоям под действием протонов высокой энергии и тяжелых заряженных частиц.

Об авторах

А.Н. Дементьев

МИРЭА - Российский технологический университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: dementev_2001@mail.ru

Список литературы

  1. Татаринцев А.В. Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников. Автореферат дисс. … доктора физ.-мат. наук. Воронеж: ВГУ, 2010.Двумерное моделирование короткоканальных МОП-транзисторов с учетом поверхностных состояний / М.Н. Левин [и др.] // Автометрия. 1992. № 2. С. 7-12.Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП-транзистора / М.Н. Левин [и др.] // Журнал технической физики. 1999. Т. 69. Вып. 8. С. 60-64.Программно-методическое обеспечение прогнозирования радиационного ресурса кристаллов БИС на борту космического аппарата / М.Н. Левин [и др.] // ВАНТ. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2008. Вып. 1. С. 32-36.Таперо К.И., Ладыгин Е.А. Кинетика отжига радиационных дефектов в кремниевых МОП- и КМОП-структурах // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 1999. Вып. 1-2. С. 39-42.Проблемы радиационного повреждения элементной базы аппаратуры космических аппаратов с длительными сроками полетов / В.С. Беляев [и др.] // 61 Международная конференция по структуре атомного ядра «Ядро-2011»: тез. докл. 2011. С. 219-221.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Дементьев А., 2018

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

СМИ зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор).
Регистрационный номер и дата принятия решения о регистрации СМИ: серия ФС 77 - 68199 от 27.12.2016.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах