Отправить статью по E-mail 
Автоматическая измерительная система для исследования полупроводниковых приборных структур
- Авторы: Горелов Ю.1, Голубева Д.1, Курганская Л.1, Щербак А.1
-
Учреждения:
- Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева
- Выпуск: Том 21, № 4 (2018)
- Страницы: 71-78
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/6954
- ID: 6954
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Рассмотрены вопросы разработки автоматической измерительной системы для исследования параметров полупроводниковых приборных структур, которая может использоваться как при экспериментальной отработке технологии получения структур, так и для проведения исследований стойкости структур к воздействию различных внешних факторов, включая факторы открытого космического пространства. Предложена структурная схема измерительной системы, позволяющей изменять свою конфигурацию программным способом для увеличения числа измеряемых параметров. Предложен вариант коммутации измерительных портов и узлов измерительной системы, при котором все порты идентичны, что дает возможность подключать к системе образцы с различной топологией и числом контактов, необходимо только чтобы суммарное число контактов всех образцов не превышало числа измерительных портов системы. Предложены возможные варианты схем измерительных узлов, реализующих преобразования напряжение-код, емкости-код, код-ток и т. д.
Об авторах
Ю.Н. Горелов
Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева
Автор, ответственный за переписку.
Email: gorelovr@mail.ru
Д.Ю. Голубева
Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева
Email: g.diana93@mail.ru
Л.В. Курганская
Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева
Email: limbo83@mail.ru
А.В. Щербак
Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева
Email: anshch@yandex.ru
Список литературы
- Лучинин В., Таиров Ю. Отечественный полупроводниковый карбид кремния: шаг к паритету // Современная электроника. 2009. № 7. С. 12-15.Лучинин В., Таиров Ю. Карбид кремния алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами // Наноиндустрия. 2010. № 1. С. 36-40.Полищук А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния настоящее и будущее силовой электроники // Компоненты и технологии. 2004. № 8. С. 40-45.Мокеров В.Г. Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. М.: Техносфера, 2010. 435 с.Чувствительные элементы высокотемпературных датчиков давления. Материалы и технологии изготовления / П.Г. Михайлов [и др.] // Известия Южного федерального университета. Серия «Технические науки». 2014. № 4(153). С. 204-213.Вопросы создания высокотемпературных датчиков механических величин. Материалы, конструкции, технологии / П.Г. Михайлов [и др.] // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2013. № 4. С. 61-70.Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. 264 с.Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников; пер. с англ. // Зарубежная радиоэлектроника. 1981. № 1. С. 3-50; № 2. С. 3-49.Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.Метрология и электрорадиоизмерения в телекоммуникационных системах: учеб. для вузов / под ред. В.И. Нефедова. М.: Высшая школа, 2005. 535 с.Фреик Д.М., Ткачук Р.З. Способ емкостных исследований полупроводников с высокой диэлектрической проницаемостью // Приборы и техника эксперимента. 1986. № 3. С. 207-208.Базлов Н.В., Вывенко О.Ф., Тульев А.В. Универсальный емкостный спектрометр глубоких центров в полупроводниках и М.О.П. структурах // Приборы и техника эксперимента. 1987. № 3.Фолкенберри Л. Применение операционных усилителей и линейных ИС; пер. с англ. М.: Мир, 1985. 572 с.Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники; пер. с англ. М.: Мир, 1998. 704 с.
Дополнительные файлы
