Тонкопроволочные излучающие структуры с двойной симметрией

Авторы рассмотрели вопросы электродинамического анализа тонкопроволочных излучающих структур, обладающих двойной симметрией. Получены новые обобщенные интегральные представления электромагнитного поля для случая структур обладающих одиночной и двойной симметриями. На основе полученных выражений построены математические модели двух- и четырехзаходной эллиптических спиральных антенн. Показано, что учет двойной симметрии при решении внутренней электродинамической задачи приводит к совокупности независимых интегральных уравнений Фредгольма первого рода, записанных относительно распределений нормальных волн тока, что существенно упрощает решение внутренней электродинамической задачи. Приведены сравнения результатов расчета распределений токов вдоль проводников, зависимостей их входного сопротивления от радиуса структуры, а также нормированных диаграммм направленности для двух- и четырехзаходного спиральных излучателей.