Анализ электрофизических характеристик бистабильных МДП-структур с фторидами самария и церия

Бистабильные МДП-структуры перспективны для использования их в устройствах постоянной памяти и являются удобным объектом для изучения деградационных явлений при воздействии различных внешних факторов. В настоящей работе изучалась деградация вольт-амперных и вольт-емкостных характеристик бистабильных германиевых и кремниевых МДП-структур с фторидом самария и церия при воздействии высоких электрических полей и повышенных температур. Установлено, что эмпирическая зависимость плотности тока от напряжения в высокоомном состоянии описывается степенной зависимостью с показателем степени 0,9–1,5. Этот показатель увеличивается как с ростом числа циклов электроформовки, так и с ростом температуры. На германиевых подложках n-типа при комнатной температуре наблюдался положительный заряд для всех исследованных структур. На кремниевых подложках n- и p-типа заряд может быть как положительный, так и отрицательный. Отдельное воздействие температуры приводит к увеличению положительного заряда с ростом числа циклов, как для германиевых, так и для кремниевых структур. Отдельное воздействие высокого электрического поля на МДП-структуры с подложкой n-типа приводит также к увеличению положительного заряда. Однако комплексное воздействие высокого электрического поля и температуры показывает тенденцию роста отрицательного заряда в исследованных МДП-структурах.