Отправить статью по E-mail 
Пористые структуры на основе карбида кремния для фотоэлектрических преобразователей
- Авторы: Голубева Д.1, Курганская Л.1, Танеев В.1, Щербак А.1
-
Учреждения:
- Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
- Выпуск: Том 22, № 3 (2019)
- Страницы: 68-74
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7498
- DOI: https://doi.org/10.18469/1810-3189.2019.22.3.68-74
- ID: 7498
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Рассмотрен способ получения пористого карбида кремния путем карбидизации пористого кремния. Исследованы морфология поверхности и фазовый состав слоев пористого карбида кремния, получаемого при диффузии углерода из газовой фазы в слой пористого кремния. Получены спектры отражения образцов пористого карбида кремния, пористого кремния. Определены удельное поверхностное сопротивление и время жизни избыточных носителей заряда в пористом карбиде кремния. Показана возможность применения пористых слоев карбида кремния для увеличения эффективности фотоэлектрических преобразователей.
Об авторах
Д.Ю. Голубева
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Автор, ответственный за переписку.
Email: g.diana93@mail.ru
Л.В. Курганская
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Email: limbo83@mail.ru
В.В. Танеев
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Email: ssau@ssau.ru
А.В. Щербак
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Email: anshch@yandex.ru
Список литературы
- Зимин С.П. Пористый кремний – материал с новыми свойствами // Соросовский образовательный журнал. 2004. Т. 8. № 1. C. 101–107.Кашкаров П.К. Необычные свойства пористого кремния // Соросовский образовательный журнал. 2001. Т. 7. № 1. C. 102–107.Panes P., Lipinski M., Czternastek H. Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells // Optoelectronics review. 2000. № 8(1). P. 57–59.Dubey R.S., Lipinski M., Czternastek H. Synthesis and characterization of nanocrystalline porous silicon layer for solar cells applications // Journal of Optoelectronic and Biomedical Materials. 2009. Vol. 1. № 1. P. 8–14.Трегулов В.В. Пористый кремний: технология, свойства, применение: моног. Рязань: Рязанский государственный университет имени C.А. Есенина, 2011. 124 с.Карбид кремния: технология, свойства, применение / О.А. Агеев [и др.]; под общ. ред. А.Е. Беляева и Р.В. Конаковой. Харьков: ИСМА, 2010. 532 с.Кремниевые фотопреобразователи для космической и авиационной отрасли / Г.П. Яровой [и др.] // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2012. Т. 14. № 1 (2). С. 521-524.Бабков Р.Ю. Перспективы применения карбида кремния в микро-электронике // Известия Южного федерального университета. Серия «Технические науки». 1998. № 3(9). С. 89.Проблемы создания высокотемпературных полупроводниковых приборов на карбиде кремния / И.В. Силаев [и др.] // International Journal of Experimental Education. 2014. № 5. С. 62.Латухина Н.В., Чепурнов В.И., Писаренко Г.А. Новые перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния // Электроника: наука, технология, бизнес. 2013. № 4 (00126). С. 104–110.Чепурнов В.И. Патент № 2370851. Способ самоорганизующейся эндотаксии моно 3C–SiC на Si подложке. Дата начала отчета срока действия патента: 2005.12.15, дата подачи заявки: 2005.12.15, опубликовано: 2009.10.20.Четырехзондовый метод измерения электрического сопротивления полупроводниковых материалов: уч.-метод. пособ. / Н.А. Поклонский [и др.]. Минск: Белгосуниверситет, 1998. 46 с.
Дополнительные файлы
