Отправить статью по E-mail 
Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного
- Авторы: Михайлов А.1, Митин А.1, Кожевников И.1
-
Учреждения:
- Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
- Выпуск: Том 17, № 4 (2014)
- Страницы: 64-69
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7258
- ID: 7258
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В работе описывается опытный вариант однокристального преобразователя свет-частота, представляющего собой мезапланарную фоторезисторную структуру на основе высокоомного арсенида галлия с N-образной вольт-амперной характеристикой. Показаны функциональность и перспективность применения предложенного фотоэлектрического преобразователя для оптоэлектроники. Приведены основные характеристики, проанализированы преимущества и недостатки предложенного преобразователя перед имеющимися аналогами.
Об авторах
А.И. Михайлов
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Автор, ответственный за переписку.
Email: mikhailovai@info.sgu.ru
А.В. Митин
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: mitin_av@mail.ru
И.О. Кожевников
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: kozhevnikov_io@rambler.ru
Список литературы
- Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника: проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника. 2-е изд. М.: Высшая школа, 1987. 416 с.Щука А.А. Функциональная электроника М.: МИРЭА, 1998. 259 с.Глинченко А.С. Цифровая обработка сигналов. Ч. 1. Красноярск: Изд-во КГТУ, 2001. 199 с.Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 416 с.Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе / Б.С. Муравский [и др.] // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2000. № 10. URL: http://jre.cplire.ruАрсенид галлиевые ФПУ УФ-диапазона для многоспектральных оптоэлектронных систем / В.Н. Легкий [и др.] // Прикладная физика. 2011. № 2. С. 112-115.Дворянкин В.Ф., Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Исследование свойств фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs // ЖТФ. 2004. Т. 74. № 6. С. 126-128.Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Многочастотная генерация в параллельных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Всероссийская конференция «Микроэлектроника СВЧ»: сборник трудов конференции. СПб.: СПбГЭТУ, 2013. URL: http://mwelectronics.ru/2013/Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Всероссийская конференция «Микроэлектроника СВЧ»: сборник трудов конференции, Т. 1. СПб.: ГЭТУ, 2012. С. 49-53.
Дополнительные файлы
