Отправить статью по E-mail 
О перспективах создания кремниевого полевого СВЧ-транзистора для работы в режиме температур 450-700 К
- Авторы: Федотов А.1
-
Учреждения:
- Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
- Выпуск: Том 17, № 4 (2014)
- Страницы: 58-63
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7257
- ID: 7257
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Предложена модель кремниевого МДП-транзистора, предназначенного для работы в импульсном режиме вплоть до T = 550 К. Основная особенность модели заключается в аномально высоком уровне легирования области стока. Выполнена оценка скорости деградации рабочих параметров прибора. Показано, что время работоспособности прибора при длине канала L ~ 600 нм и глубине его расположения под рабочей поверхностью x_10 ≥ 500 нм составляет не менее 1,5 лет. Расчеты времен деградации выполненные для T = (600-700) К могут быть полезны при проектировании высокотемпературных приборов на базе широкозонных полупроводников.
Об авторах
А.Б. Федотов
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Автор, ответственный за переписку.
Email: nntu@nntu.nnov.ru
Список литературы
- Полищук А. Полупроводниковые материалы и приборы для жестких условий эксплуатации // Совр. технологии. 2006. № 4. С. 20-24.Панютин Е.А. Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства: автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. СПб.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2009. 22 с.Жиляев Ю.В., Панютин Е.А., Федоров Л.М. Высокотемпературные динисторы на основе фосфида галлия // Письма в ЖТФ. 2009. Вып. 17. С. 50-57.Китаев В.Е., Бокуняев А.А., Колканов М.Ф. Расчет источников электропитания для средств связи. М.: Радио и связь, 1993. 232 с.Пожела Ю.К. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с.Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Лань, 2010, 400 с.Айспрук Н. Арсенид галлия в микроэлектронике. М.: Мир, 1988. 555 с.Кузнецов Ф.А. Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Сибирское отделение РАН, 1988. 195 с.Гуртов В.А. Твердотельная электроника. М.: Мир, 2005. 492 с.Федотов А.Б. Оценка скорости изменения параметров биполярного СВЧ-транзистора, работающего в высокотемпературном режиме // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2014. Т. 17. № 1. С. 45-49.Александров О.В. Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1289-1298.Velichko O.I., Aksenov V.V., Kovaleva A.P. Modeling of the interstitial diffusion in crystalline silicon // Journal of Engineering Physics and Thermophysics. 2012. Vol. 85. № 4. P. 926-932.
Дополнительные файлы
