Исследование свойств структур карбид кремния на кремнии и карбид кремния на изоляторе в условиях открытого космического пространства


Цитировать

Полный текст

Аннотация

Рассмотрены вопросы исследования стойкости полупроводниковых приборных структур к действию факторов открытого космического пространства. Показана необходимость комплексного исследования электрофизических параметров полупроводниковых слоев в течение космического полета. Предложены образцы приборных структур, позволяющие исследовать влияние факторов космического пространства на удельное сопротивление полупроводникового слоя, на свойства контактов металл - полупроводник, на состояние границы диэлектрик - полупроводник. Рассмотрены методы измерения удельного сопротивления, контактного сопротивления, коэффициента Холла, вольтамперных и вольт-фарадных характеристик образцов приборных структур. Предложены схемы измерения перечисленных параметров, адаптированные для работы в составе автоматических измерительных систем.

Об авторах

Ю.Н. Горелов

Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева

Автор, ответственный за переписку.
Email: yungor07@mail.ru

А.В. Щербак

Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева

Email: anshch@yandex.ru

Л.В. Курганская

Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева

Email: limbo83@mail.ru

Д.Ю. Голубева

Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева

Email: g.diana93@mail.ru

Список литературы

  1. Лучинин В., Таиров Ю. Отечественный полупроводниковый карбид кремния: шаг к паритету // Современная электроника. 2009. № 7.Лучинин В., Таиров Ю. Карбид кремния - алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами // Наноиндустрия. 2010. № 1. С. 36-40.Полищук А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния - настоящее и будущее силовой электроники // Компоненты и технологии. 2004. № 8.Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC / А.А. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 273-275.Лебедев А., Сбруев С. SiC - электроника: прошлое, настоящее, будущее // Элементная база электроники: Электроника: наука, технология, бизнес. 2006. Вып. 5. С. 28-41.Карбид кремния: технология, свойства, применение / О.А. Агеев [и др.]. Харьков: ИСМА, 2010. 532 с.Мокеров В.Г. Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. М.: Техносфера, 2010. 435 с.Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра / Т.В. Бланк [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025-1055.Чувствительные элементы высокотемпературных датчиков давления. Материалы и технологии изготовления / П.Г. Михайлов [и др.] // Известия Южного федерального университета. Серия «Технические науки». 2014. № 4(153). С. 204-213.Вопросы создания высокотемпературных датчиков механических величин. Материалы, конструкции, технологии / П.Г. Михайлов [и др.] // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2013. № 4. С. 61-70.Мокров Е.А., Баринов И.Н. Разработка высокотемпературных полупроводниковых датчиков давления // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2009. № 1.Гуревич О.С., Буряченко А.Г., Ранченко Г.С. Перспективы развития датчиков давления для авиационных и общепромышленных ГТД // Авиационно-космическая техника и технология. 2007. № 10.An overview of high temperature electronics and sensor development at NASA Glenn research center / G.W. Hunter [et al.] // J. Turbomach. 2003. Vol. 125. № 4.Katulka G.L. Micro-electromechanical systems and test results of SiC MEMS for high-g launch application // Proceedings of IEEE Sensors. USA, 2002.Wright N.G., Horsfall A.B., Vassilevski K. Prospects for SiC electronics and sensors // Materials Today. 2008. Vol. 11. № 1-2.SiC based pressure sensor for high-temperature environments / G. Wieczorek [et al.] // IEEE Sensors 2007 Conference. 2007.Рост слитков карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью (1010) / Д.Д. Авров [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 12. С. 1483-1487.Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC / А.А. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 273-275.Исследование начальных стадий роста нанокластеров карбида кремния на подложке кремния / Ю.В. Трушин [и др.] // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 15. С. 48-54.Ильин В.А., Матузов А.В., Петров А.С. Исследование процесса получения гетероэпитаксиальных структур 3С-карбида кремния на подложках кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008. № 4.Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния) / А.А. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. Вып. 11. С. 1354-1359.Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. 264 с.Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников // Зарубежная радиоэлектроника. 1981. № 1. С. 3-50; № 2. С. 3-49.Schroder D.K. Semiconductor Material and Device Characterization. New Jersey: John Wiley & Sons, 2006.Chwang R., Smith B.J., Crowell C.R. Contact size effects on the van der Pauw method for resistivity and Hall coefficient measurement // Solid-State Electron. 1974. № 17. P. 1217-1227.Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.Шалимова К.И. Физика полупроводников; 4-е изд. СПб.: Лань, 2010. 400 с.Фреик Д.М., Ткачук Р.З. Способ емкостных исследований полупроводников с высокой диэлектрической проницаемостью // Приборы и техника эксперимента. 1986. № 3.Базлов Н.В., Вывенко О.Ф., Тульев А.В. Универсальный емкостный спектрометр глубоких центров в полупроводниках и М.О.П. - структурах // Приборы и техника эксперимента. 1987. № 3.Мейзда Ф. Электронные измерительные приборы и методы измерений: пер. с англ. М.: Мир, 1990. 538 с.Спектор С.А. Электрические измерения физических величин. М.: Энергоатомиздат, 1987. 320 с.Измерение электрических и неэлектрических величин: уч. пос. для вузов / под общ. ред. Евтихиева. М.: Энергоатомиздат, 1990. 352 с.Парусов В.П., Репьев В.Н. Цифровой прибор на основе автогенераторного преобразователя для измерения емкости при больших потерях // Приборы и техника эксперимента. 1989. № 1.Пузин И.Б., Шерварлы Г.К., Нечкин С.Б. Измерение малых емкостей полупроводниковых приборов с помощью компенсационно-измерительного 2Т-моста // Приборы и техника эксперимента. 1992. № 1.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Горелов Ю., Щербак А., Курганская Л., Голубева Д., 2017

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.
СМИ зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор).
Регистрационный номер и дата принятия решения о регистрации СМИ: серия ФС 77 - 68199 от 27.12.2016.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах