Многопараметровые измерения структур сверхвысокочастотными волноводными методами
- Авторы: Усанов Д.1, Постельга А.1, Бочкова Т.1, Гуров К.1, Игонин С.1
-
Учреждения:
- Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
- Выпуск: Том 21, № 3 (2018)
- Страницы: 12-17
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7012
- ID: 7012
Цитировать
Полный текст
Аннотация
На примере образцов кремния и магнитной жидкости показана возможность одновременного определения параметров по температурной зависимости спектра отражения электромагнитного излучения в СВЧ-диапазоне. Определены диэлектрическая проницаемость, объемная доля твердой фазы, тангенс угла диэлектрических потерь и диметр частиц магнитной жидкости, а также толщина образца кремния, его электропроводность, эффективная масса дырок, энергия активации и концентрация бора в кремнии. Показано, что учет в расчетах размеров и пространственного расположения агломератов из магнетитовых наночастиц для магнитной жидкости и учет температурных зависимостей концентрации и подвижности при воздействии двух механизмов рассеяния для кремния приводит к увеличению точности при определении искомых параметров.
Об авторах
Д.А. Усанов
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Автор, ответственный за переписку.
Email: usanovda@info.sgu.ru
А.Э. Постельга
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: usanovda@info.sgu.ru
Т.С. Бочкова
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: usanovda@info.sgu.ru
К.А. Гуров
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: usanovda@info.sgu.ru
С.В. Игонин
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: usanovda@info.sgu.ru
Список литературы
- Усанов Д.А., Постельга А.Э. Определение толщины, электропроводности и энергии активации примеси полупроводниковых слоев по спектру отражения СВЧ-излучения // Дефектоскопия. 2014. № 5. С. 60-68.Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл-полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения / Д.А. Усанов [и др.] // Журнал технической физики. 2006. Т. 76. Вып. 5. С. 112-117.Усанов Д.А., Постельга А.Э., Алтынбаев С.В. Определение параметров магнитной жидкости по температурной зависимости сверхвысокочастотного спектра отражения // Журнал технической физики. 2013. Т. 83. Вып. 11. С. 30-33.Шкловский Б.И., Эфрос А.Л., Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 358 с.Температурная зависимость коэффициента отражения микроволнового излучения от слоя магнитной жидкости / Д.А. Усанов [и др.] // ЖТФ. 2006. Т. 76. № 11. С. 126-129.Определение параметров магнитной жидкости по отражению сверхвысокочастотного излучения / Д.А. Усанов [и др.] // ЖТФ. 2001. Т. 71. № 12. С. 26-29.Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников; 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1984. 352 с.Ильинская Л.С., Подмарьков А. Н. Полупроводниковые тензодатчики. М.; Л.: Энергия, 1966. 120 с.Скворцов А.А., Литвиненко О.В., Орлов А.М. Определение констант деформационного потенциала n-Si, p-Si по концентрационному ангармонизму // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 1. С. 17-21.Никольский В.В. Гиротропное возмущение волновода // Радиотехника и электроника. 1957. Т. 2. № 2. С. 157-171.Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл-полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения / Д.А. Усанов [и др.] // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 5. С. 112-117.Дьяченко С.В., Жерновой А.И. Определение магнитных характеристик наночастиц MgFe(2)O(4) полученных глицин-нитратным синтезом // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 12. С. 78-80.
Дополнительные файлы
![](/img/style/loading.gif)