Отправить статью по E-mail 
Электрофизические и оптические свойства карбидокремниевых приборных структур
- Авторы: Голубева Д.1, Щербак А.1
-
Учреждения:
- Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева
- Выпуск: Том 22, № 1 (2019)
- Страницы: 57-66
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/6660
- DOI: https://doi.org/10.18469/1810-3189.2019.22.1.57-66
- ID: 6660
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Представлены результаты исследований тонких пленок карбида кремния, получаемых методом высокочастотного магнетронного распыления на подложках различного типа. Морфология поверхности карбида кремния исследовалась методом растровой электронной микроскопии. Шероховатость поверхности измерялась при помощи профилометра. Фазовый состав и структурное совершенство пленок определялись методами рентгенофазового анализа и комбинационного рассеяния света. Разработана методика расчета оптических и некоторых электрофизических параметров слоев карбида кремния на основе экспериментально полученных спектров нормального отражения естественного света от структуры и от подложки. Рассчитаны показатель преломления, коэффициент экстинкции и удельная проводимость пленок карбида кремния в зависимости от длины волны падающего света.
Об авторах
Д.Ю. Голубева
Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева
Автор, ответственный за переписку.
Email: g.diana93@mail.ru
А.В. Щербак
Самарский национальный исследовательский университет им. акад. С.П. Королева
Email: anshch@yandex.ru
Список литературы
- Лучинин В., Таиров Ю. Отечественный полупроводниковый карбид кремния: шаг к паритету // Современная электроника. 2009. № 7. C. 4.Лучинин В., Таиров Ю. Карбид кремния - алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами // Наноиндустрия. 2010. № 1. С. 36-40.Полищук А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния - настоящее и будущее силовой электроники // Компоненты и технологии. 2004. № 8. С. 6.Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC / А.А. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 273-275.Лебедев А., Сбруев С. SiC - электроника: прошлое, настоящее, будущее// Элементная база электроники: электроника: наука, технология, бизнес. 2006. Вып. 5. С. 28-41.Карбид кремния: технология, свойства, применение / О.А. Агеев [и др.]. Харьков: ИСМА, 2010. 532 с.Мокеров В.Г. Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. М.: Техносфера, 2010. 435 с.Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра / Т.В. Бланк [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025-1055.Чувствительные элементы высокотемпературных датчиков давления. Материалы и технологии изготовления / П.Г. Михайлов [и др.] // Известия Южного федерального университета. Серия «Технические науки». 2014. № 4(153). С. 204-213.Вопросы создания высокотемпературных датчиков механических величин. Материалы, конструкции, технологии / П.Г. Михайлов [и др.] // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2013. № 4. С. 61-70.Мокров Е.А., Баринов И.Н. Разработка высокотемпературных полупроводниковых датчиков давления // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2009. № 1. С. 23-27.Гуревич О.С., Буряченко А.Г., Ранченко Г.С. Перспективы развития датчиков давления для авиационных и общепромышленных ГТД // Авиационно-космическая техника и технология. 2007. № 10.An overview of hightemperature electronics and sensor development at NASA Glenn research center / G.W. Hunter [et al.] // J. Turbomach. 2003. Vol. 125. № 4.Katulka G.L. Micro-electromechanical systems and test results of SiC MEMS for high-g launch application // Proceedings of IEEE Sensors. 2002. Vol. 2.Wright N. G., Horsfall A. B., Vassilevski K. Prospects for SiC electronics and sensors // Materials Today. 2008. V. 11. № 1-2.SiC based pressure sensor for high-temperature environments / G. Wieczorek [et al.] // IEEE Sensors 2007 Conference. 2007.Рост слитков карбида кремния политипа 4H на затравках сплоскостью (1010) / Д.Д. Авров [и др.] // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 12. С. 1483-1487.Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC / А.А. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 273-275.Исследование начальных стадий роста нанокластеров карбида кремния на подложке кремния / Ю.В. Трушин [и др.] // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 15. С. 48-54.Ильин В.А., Матузов А.В., Петров А.С. Исследование процесса получения гетероэпитаксиальных структур 3С-карбида кремния на подложках кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008. № 4.Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок / Е.В. Берлин [и др.]. М.: Техносфера, 2007. 176 с.Reactive magnetron sputtering of thin films: present status and trends / J. Musil [et al.] // Thin Solid Films. 2005. № 475. P. 208-218.Kelly P.J. Magnetron sputtering: a review of recent developments and applications // Vacuum. 2000. № 56. P. 159-172.
Дополнительные файлы
