Отправить статью по E-mail 
ОСОБЕННОСТИ НАНОТОЧЕЧНОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В СТРУКТУРЕ por-SiC/Si, ПОЛУЧЕННОЙ ПО ДИФФУЗИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ - PDF (Русский)
© Чепурнов В., Сивакова К., Ермошкин А., 2011
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.