ОСОБЕННОСТИ НАНОТОЧЕЧНОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В СТРУКТУРЕ por-SiC/Si, ПОЛУЧЕННОЙ ПО ДИФФУЗИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ



Цитировать

Полный текст

Аннотация

Гетероэпитаксиальные пленки карбида кремния на кремниевой подложке являются перспективным материалом высокотемпературной электроники. В данной работе выполнен анализ точечного дефектообразования в гомогенной фазе ß-SiC, формирующейся за счет матрицы кремния, углеводородов газовой фазы и легирующей примеси Ga в интервале температур 1360-1380 °C при нормальном давлении.

Об авторах

Виктор Иванович Чепурнов

Самарский государственный университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: morenov.sv@ssau.ru

Ксения Петровна Сивакова

Самарский государственный университет

Email: morenov.sv@ssau.ru

Андрей Александрович Ермошкин

Самарский государственный технический университет

Email: morenov.sv@ssau.ru

Список литературы

  1. A Variable Potential Porous Silicon Carbide Hydrocarbon Gas Sensor / V.B. Shields [et al.] // Inst. Phys. Conv. 1996. № 7. P. 1067-1070.
  2. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973. 399 с.
  3. Чепурнов В.И. Способ самоорганизующейся эндотаксии моно ЗС-БЮ на Б1 подложке. Патент РФ (1Ш2370851) № 2005139163/28 от 15.12.2005; опубл. 20.10.2009. Бюл. № 29. 8 с.
  4. Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Анализ точечного дефектообразования в гомогенной фазе БгС формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры Б1С/Б1 // Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия. 2006. Т. 9(49). С. 72-91.
  5. Комов А.Н., Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Влияние легирующей примеси на распределение точечных дефектов в гетероструктуре Б1С/Б1 // Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия. 2008. № 6(65). С. 352-366.
  6. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. 358 с.
  7. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела. М.: Химия, 1982. 319 с.
  8. Ковтуненко В.П. Физическая химия твердого тела. М.: Высшая школа, 1993. 352 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Чепурнов В., Сивакова К., Ермошкин А., 2011

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах