Отправить статью по E-mail 
АССОЦИАТЫ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ В SiС-ФАЗЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ SiС//Si, ПОЛУЧЕННОЙ МЕТОДОМ ЭНДОТАКСИИ
- Авторы: Чепурнов В.1
-
Учреждения:
- Самарский государственный университет
- Выпуск: Том 20, № 7 (2014)
- Страницы: 145-162
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/est/article/view/4542
- DOI: https://doi.org/10.18287/2541-7525-2014-20-7-145-162
- ID: 4542
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Одним из основных путей повышения надежности датчиков физических величин на основе высокотемпературной и радиационно устойчивой гетероструктуры β -SiC/Si является анализ технологических аспектов ее формирования (эндотаксия) на предмет концентрационного распределения точечных дефектов различной природы, их вероятных моделей ассоциирования с участием посторонней примеси. Кроме того, анализ обратимых процессов ассоциирования открывает пути оптимизации кинетики диффузионного массопереноса при фазовом превращении подложки кремния в пленку карбида кремния. В статье приводятся зависимости концентраций нейтральных дефектов от факторов пересыщения газовой фазы по условной атомарной концентрации углерода (гипотетическому давлению), концентрации посторонней примеси в газовой фазе, а также собственных дефектов различной природы, имеющих потенциал образования глубоких уровней в запрещенной зоне и потенциал ассоциирования. Выполнен анализ приведенных зависимостей и даны рекомендации по проведению технологического процесса формирования сложных гетероструктур различного назначения.
Об авторах
В.И. Чепурнов
Самарский государственный университет
Автор, ответственный за переписку.
Email: morenov.sv@ssau.ru
Список литературы
- Casady J.B., Jonson R.W. Status of silicon carbide (SiC) as a vide-bandgape semiconductor for high-temperature applications: a review // Solide-State Elektronics. 1996. V. 39. № 10. Р. 1409-1422.
- Зубрилов А.С. Электрические свойства гетеропереходов 3С-SiC/Si // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 10. С. 1742-1748.
- Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния. Обзор / П.А. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 8. С. 897-912.
- Медведева Н.И., Юрьева Н.И., Ивановский А.Л. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d - примесями в Si- и C-позициях замещения // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 11. С. 1281-1284.
- Влияние легирующей примеси на распределение точечных дефектов в гетероструктуре SiC - Si / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2008. № 6(65). С. 352-366.
- Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 2. С. 129-155.
- Константинов А.О. О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 2. Вып. 2. С. 272-279.
- Lowthe J.F. Vacancies and divacansies in cubic silicon carbid // J. Phys. C: Solid State Phys. 1977. V. 10. C. 2501-2509.
- Палатник Л.С., Папиров И.И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964. 408 с.
- Чепурнов В.И. Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с SiC- фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2012. № 9(100). С. 164-179.
- Мильвидский М.Г., Освенский И.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия. 1985. 159 с.
- Модель явлений переноса в системе (Si - C - H) при гетероэндотаксии структур SiC - Si / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2008. № 6(65). С. 367-378.
- Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC|/Si, получен- ной по диффузионной технологии для химических датчиков / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физ.-мат. науки. 2009. № 2(19). С. 99-106.
- Карбид кремния / ред. Хениш Г., Рой Р. М.: Мир. 1972. 386 с.
- Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Анализ точечного дефектообразовния в гомогенной фазе SiC, формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC - Si // Вест- ник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2006. № 9(49). С. 72-91.
- Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Выс. шк., 1993. 352 с.
- Полинг Л. Общая химия. М.: Мир. 1974. 846 с.
Дополнительные файлы
