Отправить статью по E-mail 
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В SI-ФАЗЕ, СОПРЯЖЕННОЙ С SIC-ФАЗОЙ, СФОРМИРОВАННОЙ МЕТОДОМ ЭНДОТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
- Авторы: Чепурнов В.1
-
Учреждения:
- Самарский государственный университет
- Выпуск: Том 18, № 9 (2012)
- Страницы: 164-179
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.ssau.ru/est/article/view/4795
- DOI: https://doi.org/10.18287/2541-7525-2012-18-9-164-179
- ID: 4795
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В данной статье показано, что гетероструктуры карбида кремния на кремниевых подложках являются перспективным материалом высокотемпературной и радиационно устойчивой электроники. Твердофазный процесс эндотаксии карбида кремния сопровождается химическим превращением Si-фазы в SiC-фазу в среде водорода и углеводородов при температуре 1360-1380 °C и нормальном давлении. Исследовано распределение тепловых собственных точечных дефектов различной природы в кремниевой подложке в зависимости от типа ее проводимости и в условиях изовалентного легирования углеродом.
Об авторах
В.И. Чепурнов
Самарский государственный университет
Автор, ответственный за переписку.
Email: morenov.sv@ssau.ru
Список литературы
- Casady J.B., Jonson R.W. Status of silicon carbide (SiC) as a vide-bandgape semiconductor for high-temperature applications: a review // Solide-State Elektronics. 1996. V. 39. № 10. P. 1409—1422.
- Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния. Обзор / П.А. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 8. C. 897—912.
- Иванов А.М., Строкан Н.Б., Лебедев А.А. Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения // Журнал технической физики. 2012. Т. 82. Вып. 4. С. 137—141.
- Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 3. С. 369—393.
- Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 2. С. 129—155.
- Медведев Н.И., Юрьева Н.И., Ивановский А.Л. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 11. С. 1281—1284.
- Зубрилов А.С. Электрические свойства гетеропереходов 3^SiC/Si // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 10. С. 1742—1748.
- Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Анализ точечного дефектообразовния в гомогенной фазе SiC, формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC-Si // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2006. № 9(49). С. 72-91.
- Влияние легирующей примеси на распределение точечных дефектов в гете-роструктуре SiC-Si / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2008. № 6(65). С. 352-366.
- Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC|/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физ.-мат. науки. 2009. № 2(19). С. 99-106.
- Модель явлений переноса в системе (Si-C-H) при гетероэндотаксии структур SiC-Si / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2008. № 6(65). С. 367-378.
- Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Высшая школа, 1993. 352 с.
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллических полупроводниках. М.: Металлургия, 1984. 255 с.
- Карбид кремния / под ред. Г. Хениша, Р. Роя. М.: Мир. 1972. С. 43.
- Полинг Л. Общая химия. М.: Мир. 1974. 846 с.
Дополнительные файлы
