Моделирование ионизационных эффектов в элементах микросхем за счёт влияния радиации

Ю. К. Фортинский

Аннотация


Описаны модели расчёта тока ионизации в полупроводниковых структурах, который возникает при воздействии импульсного радиационного воздействия гамма-излучения. Ток определяется с учётом температуры окружающей среды и топологии элементов микросхем, а также времени воздействия. Кроме того, учтены эффекты нелинейности, характерные для высокой мощности дозы гамма-излучения.

Ключ. слова


Радиация; импульсное гамма-излучение; мощность дозы; ионизационные эффекты; стойкость; радиационные отказы; микросхемы

Полный текст:

PDF

Список литературы

1. Ачкасов, В. Н. Разработка средств автоматизации проектирования специализированных микросхем для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, В.Е. Межов, В. К. Зольников. - Воронеж: Воронеж. гос. ун-т, 2005. - 240 с.

2. Фортинский, Ю.К. Автоматизация управления и проектирования в электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский, В.Е. Межов, В.К. Зольников, П.П. Куцько. - Воронеж: Воронеж. гос. ун-т, 2007. - 275 с.

Ссылки

  • Ссылки не определены.


© Вестник СГАУ, 2015

 

Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License.

 

ISSN: 2541-7533