Email this article 
Model of electromigration in thin metal films
- Authors: 1 11, 1 11
-
Affiliations:
- Samara State Aerospace University
- Issue: Vol 9, No 1 (2010)
- Pages: 185-194
- Section: MECHANICAL ENGINEERING AND POWER ENGINEERING
- URL: https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/881
- DOI: https://doi.org/10.18287/2541-7533-2010-0-1(21)-185-194
- ID: 881
Cite item
Full Text
Abstract
Causes of failure of the commutation structure of electronic devices based on thin metal films have been analysed. Electromigration processes are shown to be the basic factor leading to the failure of thin-film aluminium metallization. The mechanism of electromigration degradation of this king of metallization is analysed. Methods of improving electromigration reliability of metallization are also analysed. A model of electromigration processes based on a cellular machine has been developed, which makes it possible to model the process of flaw development in a thin film when subjected to high-density current and to measure the mean time to failure of thin-film conductors.
About the authors
1 1
Samara State Aerospace University
Author for correspondence.
Email: sadohina@ssau.ru
Russian Federation
1 1
Samara State Aerospace University
Email: sadohina@ssau.ru
Russian Federation
References
- Фикс, В. Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. Электроперенос [Текст] / В. Б. Фикс. – М.: Наука, 1969. – 296 с.
- Колешко, В. М. Массоперенос в тонких пленках [Текст] / В. М. Колешко, В. Ф. Белицкий. – М.: Наука и техника, 1980. – 370 с.
- Проблемы межсоединений в современной микроэлектронике А. А. Суханов [Текст]. Т.13. Вып. 3. Микроэлектроника, 1984. – С. 179-195.
- Влияние технологии металлизации СБИС на её стойкость к электромиграции В. М. Борзов [и др.] [Текст]. Т.2. Вакуумная техника и технология, 1992. – С. 27-30.
- Палатник, Л. С. Материаловедение в микроэлектронике [Текст] / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин. – М.: Энергия, 1972. – 280 с.
- Гроссе, П. Свободные электроны в твёрдых телах [Текст]: [пер. с нем.] / П. Гроссе. – М.: Мир, 1982. – 270 с.
- Электродиффузионная надёжность тонкоплёночных проводников на основе эпитаксиальной плёнки алюминия [Текст] / А. В. Архипов; СПбГЭТУ. – СПб., 1994. – Деп. в ВИНИТИ № 830 – В94.
- Микромеханизмы деформационно-стимулированной зернограничной самодиффузии. Часть I-III В. Н. Чувильдеев [Текст]. Т.81. Вып. 5. ФММ, 1996. – С. 5-13.
- Микромеханизмы зернограничной самодиффузии в металлах. Часть I-II В. Н. Чувильдеев [Текст]. Т.81. Вып. 2. ФММ, 1996. – С. 5-14.
- Теория роста кристалла и движение границы раздела фаз в кристаллических материалах Дж. Кан. [Текст]. Т.91. Вып. 4. УФН, 1967. – С. 677-690.
- Примесные состояния и диффузия в границах зерен металлов С. М. Клоцман [Текст]. Т.160. Вып. 1. УФН, 1990. – С. 99-139.
- Комник, Ю. Ф. Физика металлических плёнок [Текст] / Ю. Ф. Комник. – М.: Атомиздат, 1979. – 263 с.
Supplementary files
