ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ – ОСНОВА ИННОВАЦИОННЫХ КОСМИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ



Цитировать

Полный текст

Аннотация

В статье дается краткий анализ процесса получения инновационных технологий и его связь с фундаментальными научными исследованиями. Описывается структура фундаментальных, поисковых, прогнозных исследований. Отмечается особая роль технологий космического сектора как одного из факторов технологического прогресса. Особое внимание уделяется взаимодействию Самарского государственного университета и «ЦСКБ–Прогресс». Подробно описываются некоторые инновационные исследования, которые проводятся в СамГУ под руководством Н.В. Латухиной, А.В. Булановой, А.Н. Комова.

Об авторах

Г.И. Леонович

Самарский государственный университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: morenov.sv@ssau.ru

А.Ф. Крутов

Самарский государственный университет

Email: morenov.sv@ssau.ru

Б.Б. Искольный

Самарский государственный университет

Email: morenov.sv@ssau.ru

Список литературы

  1. Стратегия национальной безопасности РФ до 2020 года. URL: http://www.nsnbr.ru/strategiya_nb_rf.html.
  2. Федеральная космическая программа России на 2006–2015 годы. URL: http://www.roscosmos.ru/main.php?id=24.
  3. Журавель Л.В., Латухина Н.В., Блытушкина Е.Ю. Влияние легирования редкоземельными элементами на структуру поверхностного слоя кремния // Известия вузов. Сер:Материалы электронной техники. 2004. Вып. 3. С. 72–74.
  4. Прогноз развития датчиков. Отчет исследования ожидаемого развития датчиков до 2015 г. // Датчики и системы. 2003. № 11. С. 59–62.
  5. Мультисенсорные волоконно-оптические преобразователи транспортных систем /Г.И. Леонович [и др.] // Известия Самарского научного центра РАН. Спец. вып.:Перспективы и направления развития транспортной системы. 2007. С. 125–129.
  6. High Sensitivity Pressure Sensors Utilizing Advanced Polymer Coatings / S.T. Vohra[et al.] // U.S. Naval Research Laboratory, Code 5670Washington, DC 20375, 1999. 235 p.
  7. Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Анализ точечного дефектообразования в гомогенной фазе SiC формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC/ Si //Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2006. № 9 (49). С. 72–91.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Леонович Г., Крутов А., Искольный Б., 2012

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах