АССОЦИАТЫ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ В SiС-ФАЗЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ SiС//Si, ПОЛУЧЕННОЙ МЕТОДОМ ЭНДОТАКСИИ

В.И. Чепурнов

Аннотация


Одним из основных путей повышения надежности датчиков физических величин на основе высокотемпературной и радиационно устойчивой гетероструктуры β -SiC/Si является анализ технологических аспектов ее формирования (эндотаксия) на предмет концентрационного распределения точечных дефектов различной природы, их вероятных моделей ассоциирования с участием посторонней примеси. Кроме того, анализ обратимых процессов ассоциирования открывает пути оптимизации кинетики диффузионного массопереноса при фазовом превращении подложки кремния в пленку карбида кремния. В статье приводятся зависимости концентраций нейтральных дефектов от факторов пересыщения газовой фазы по условной атомарной концентрации углерода (гипотетическому давлению), концентрации посторонней примеси в газовой фазе, а также собственных дефектов различной природы, имеющих потенциал образования глубоких уровней в запрещенной зоне и потенциал ассоциирования. Выполнен анализ приведенных зависимостей и даны рекомендации по проведению технологического процесса формирования сложных гетероструктур различного назначения.

Ключ. слова


ассоциаты и точечные дефекты в полупроводниках; гете- роструктуры; гетероэндотаксия; карбид кремния на кремниевой подложке;

Полный текст:

PDF

Список литературы

Casady J.B., Jonson R.W. Status of silicon carbide (SiC) as a vide-bandgape semiconductor for high-temperature applications: a review // Solide-State Elektronics. 1996. V. 39. № 10. Р. 1409-1422.
Зубрилов А.С. Электрические свойства гетеропереходов 3С-SiC/Si // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 10. С. 1742-1748.
Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния. Обзор / П.А. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 8. С. 897-912.
Медведева Н.И., Юрьева Н.И., Ивановский А.Л. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d - примесями в Si- и C-позициях замещения // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 11. С. 1281-1284.
Влияние легирующей примеси на распределение точечных дефектов в гетероструктуре SiC - Si / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2008. № 6(65). С. 352-366.
Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 2. С. 129-155.
Константинов А.О. О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 2. Вып. 2. С. 272-279.
Lowthe J.F. Vacancies and divacansies in cubic silicon carbid // J. Phys. C: Solid State Phys. 1977. V. 10. C. 2501-2509.
Палатник Л.С., Папиров И.И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964. 408 с.
Чепурнов В.И. Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с SiC- фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2012. № 9(100). С. 164-179.
Мильвидский М.Г., Освенский И.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия. 1985. 159 с.
Модель явлений переноса в системе (Si - C - H) при гетероэндотаксии структур SiC - Si / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2008. № 6(65). С. 367-378.
Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC|/Si, получен- ной по диффузионной технологии для химических датчиков / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физ.-мат. науки. 2009. № 2(19). С. 99-106.
Карбид кремния / ред. Хениш Г., Рой Р. М.: Мир. 1972. 386 с.
Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Анализ точечного дефектообразовния в гомогенной фазе SiC, формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC - Si // Вест- ник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2006. № 9(49). С. 72-91.
Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Выс. шк., 1993. 352 с.
Полинг Л. Общая химия. М.: Мир. 1974. 846 с.

Ссылки

  • Ссылки не определены.